《半导体物理实验》

实验一 激光测定硅单晶晶轴1

实验二 硅单晶中晶体缺陷的腐蚀显示11

实验三 四探针法测电阻率24

实验四 扩展电阻探针法测量硅片微区电阻率变化及电阻率深度分布39

实验五 电容－电压法测杂质浓度分布52

实验六 二次谐波法测杂质浓度分布61

实验七 硅单晶的霍耳效应与电导率69

实验八 硅单晶杂质补偿度的测量83

实验九 光电导衰退法测量硅单晶中少数载流子的寿命97

实验十 光磁效应光电导补偿法测量少数载流子寿命108

实验十一 表面光电压法测量硅少数载流子扩散长度118

实验十二 热激电容热激电流法测量硅中深能级中心128

实测十三 瞬态电容法测量硅中深能级中心142

实验十四 用深能级瞬态谱（DLTS）法测量硅中的深能级中心154

实验十五 高频MOS电容－电压关系测量172

实验十六 MOS电容法测量硅的产生寿命和表面产生速度186

实验十七 用三角波电压扫描法检测二氧化硅层中可动离子面密度197

实验十八 扫描内光电法测量硅－二氧化硅界面可动正离子的横向分布209

实验十九 用热激电流法测量硅－二氧化硅界面态密度分布220

实验二十 用准静态技术测量硅－二氧化硅界面态密度分布233

实验二十一 硅－二氧化硅界面态密度分布的计算机数据处理249

实验二十二 超高真空下测量半导体表面吸附气体后功函数的变化265

实验二十三 用椭圆偏振仪测量半导体表面介质薄膜的厚度和折射率279

附录 索引304

物理常数表310

常见单位的名称和符号311