《半导体物理实验》

实验一　锗的霍耳系数和电导率的测量1

目录4

序4

实验二　锗的温差电动势率的测量12

实验三　用非稳定态方法测量硫化铅的热导率19

实验四　锗中少数载流子的扩散长度、寿命和漂移迁移率的测量30

实验五　用光注入法测量少数载流子的扩散长度43

实验六　半导体光电实验的前言51

实验七　氧化亚铜的吸收光谱62

实验八　氧化亚铜的光电导的光谱分布65

实验九　氧化亚铜光电导载流子弛豫时间的测量70

实验十　硒光电池的制造和测量74

实验十一　锗的光磁效应和非平衡载流子复合寿命的测量82

实验十二　电致发光现象的观察88

实验十三　磷光体的加热发光101

实验十四　半导体整流效应的介绍107

实验十五　用零压电阻的方法测量整流器的势垒115

实验十六　整流器电容的测量119

实验十七　晶体三极管特性的介绍123

实验十八　晶体三极管低频小讯号参数的测量133

实验十九　晶体三极管的频率特性140

实验二十　点接触型三极管的负阻特性145