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目录1

第一章 半导体中的电子状态1

§1.1 能带论的定性叙述1

§1.2 周期性势场中的电子6

§1.3 自由电子近似13

§1.4 布里渊区20

§1.5 半导体中电子的运动 有效质量23

§1.6 本征半导体的导电机构 空穴26

§1.7 回旋共振30

§1.8 硅和锗的能带结构34

§1.9 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的能带结构38

第二章 半导体中杂质和缺陷能级43

§2.1 硅、锗晶体中的杂质能级43

§2.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物中的杂质能级52

§2.3 缺陷 位错能级56

§2.4 辐照效应58

第三章 半导体中载流子的统计分布61

§3.1 状态密度61

§3.2 费米能级和载流子的统计分布64

§3.3 本征半导体的载流子浓度70

§3.4 杂质半导体的载流子浓度72

§3.5 一般情况下的载流子统计分布81

§3.6 简并半导体86

附录 电子占据杂质能级的几率90

第四章 半导体的导电性95

§4.1 载流子的漂移运动 迁移率95

§4.2 载流子的散射97

§4.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系105

§4.4 电阻率及其与杂质浓度和温度的关系110

§4.5 玻耳兹曼方程 电导率的统计理论112

§4.6 强电场下的效应 热载流子116

§4.7 多能谷散射 耿氏效应121

§5.1 非平衡载流子的注入与复合127

第五章 非平衡载流子127

§5.2 非平衡载流子的寿命128

§5.3 准费米能级130

§5.4 复合理论131

§5 5 陷阱效应141

§5.6 载流子的扩散运动143

§5.7 载流子的漂移运动 爱因斯坦关系式147

§5.8 连续性方程式149

第六章 p-n结156

§6.1 p-n结及其能带图156

§6.2 p-n结电流电压特性162

§6.3 p-n结电容173

§6.4 p-n结击穿182

§6.5 p-n结隧道效应191

第七章 金属和半导体的接触195

§7.1 金属半导体接触及其能级图195

§7.2 金属半导体接触整流理论200

§7.3 少数载流子的注入209

§7.4 欧姆接触210

第八章 半导体表面理论213

§8.1 表面态213

§8.2 表面电场效应215

§8.3 MIS结构的电容-电压特性224

§8.4 硅-二氧化硅系统的性质231

§8.5 表面电导及迁移率236

§8.6 表面电场对p-n结特性的影响238

第九章 异质结246

§9.1 异质结及其能带图246

§9.2 异质结的电流输运机构256

§9.3 异质结在器件中的应用264

第十章 半导体的光学性质和光电效应267

§10.1 半导体的光学常数267

§10.2 半导体的光吸收270

§10.3 半导体的光电导277

§10.4 半导体的光生伏特效应285

§10.5 半导体发光286

§10.6 半导体激光291

第十一章 半导体的热电性质299

§11.1 热电效应的一般描述299

§11.2 半导体的温差电动势率302

§11.3 半导体的珀耳帖效应307

§11.4 半导体的汤姆孙效应308

§11.5 半导体的热导率309

§11.6 半导体热电效应的应用312

第十二章 半导体磁电效应314

§12.1 霍耳效应314

§12.2 磁阻效应320

§12.3 热磁效应324

§12.4 光磁电效应327

§12.5 磁二极管330

第十三章 半导体压阻及声电效应333

§13.1 压阻效应333

§13.2 声波和载流子的相互作用341

附录349

附录1 玻耳兹曼方程的解349

附录2 半导体材料物理性质表362

附录3 几个常用的物理常数367

附录4 主要参数符号367

部分习题答案371