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目录1

出版说明1

前言1

主要参数符号表1

第1章　半导体中的电子状态1

§1-1　半导体中的电子状态和能带1

§1-2　半导体中电子的运动　有效质量8

§1-3　本征半导体的导电机构 空穴11

§1-4　回旋共振13

§1-5　硅和锗的能带结构16

§1-6　Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的能带结构21

习题23

参考资料24

第2章　半导体中杂质和缺陷能级25

§2-1　硅、锗晶体中的杂质能级25

§2-2　Ⅲ-Ⅴ族化合物中的杂质能级32

§2-3　缺陷　位错能级36

参考资料39

第3章　半导体中载流子的统计分布40

§3-1　状态密度40

§3-2　费米能级和载流子的统计分布43

§3-3　本征半导体的载流子浓度48

§3-4　杂质半导体的载流子浓度51

＊§3-5　一般情况下的载流子统计分布59

§3-6　简并半导体62

＊补充材料　电子占据杂质能级的几率66

习题68

参考资料69

第4章　半导体的导电性71

§4-1　载流子的漂移运动　迁移率71

§4-2　载流子的散射73

§4-3　迁移率与杂质浓度和温度的关系80

§4-4　电阻率及其与杂质浓度和温度的关系85

＊§4-5　玻耳兹曼方程　电导率的统计理论86

§4-6　强电场下的效应　热载流子90

＊§4-7　多能谷散射　耿氏效应95

习题98

参考资料99

§5-1　非平衡载流子的注入与复合100

第5章　非平衡载流子100

§5-2　非平衡载流子的寿命101

§5-3　准费米能级103

§5-4　复合理论104

＊§5-5　陷阱效应113

§5-6　载流子的扩散运动114

§5-7　载流子的漂移运动　爱因斯坦关系式118

§5-8　连续性方程式120

习题124

参考资料125

第6章　p-n结126

§6-1　p-n结及其能带图126

§6-2　p-n结电流电压特性131

§6-3　p-n结电容141

§6-4　p-n结击穿149

§6-5　p-n结隧道效应152

习题154

参考资料155

第7章　金属和半导体的接触156

§7-1　金属半导体接触及其能级图156

＊§7-2　金属半导体接触整流理论160

§7-3　少数载流子的注入和欧姆接触166

习题168

参考资料169

第8章　半导体表面理论170

＊§8-1　表面态170

§8-2　表面电场效应172

§8-3　MIS结构的电容-电压特性179

§8-4　硅-二氧化硅系统的性质185

＊§8-5　表面电导及迁移率191

§8-6　表面电场对p-n结特性的影响192

习题197

参考资料198

第9章　异质结199

§9-1　异质结及其能带图199

§9-2　异质结的电流输运机构208

§9-3　异质结在器件中的应用215

参考资料217

第10章　半导体的光学性质和光电效应218

§10-1　半导体的光学常数218

§10-2　半导体的光吸收221

§10-3　半导体的光电导228

§10-4　半导体的光生伏特效应234

§10-5　半导体发光236

§10-6　半导体激光241

习题247

参考资料248

第11章　半导体的热电性质249

§11-1　热电效应的一般描述249

§11-2　半导体的温差电动势率252

§11-3　半导体的珀耳帖效应257

§11-4　半导体的汤姆孙效应258

§11-5　半导体的热导率258

§11-6　半导体热电效应的应用261

参考资料262

习题262

第12章　半导体磁电和压阻效应263

§12-1　霍耳效应263

§12-2　磁阻效应268

§12-3　热磁效应272

§12-4　光磁电效应274

§12-5　压阻效应277

习题284

参考资料285

附录287

附录1　常用物理常数和能量表达变换表287

附录2　半导体材料物理性质表287

参考资料292