《半导体物理》

第一章电子的微观特性及其运动规律1

1-1原子的结构1

1-2电子运动的轨道理论4

1-3原子的壳层结构15

1-4波粒二象性18

1-5定态薛定谔方程29

本章小结33

复习思考题34

第二章晶体的结构与能带36

2-1晶体的结合和结构36

2-2锗、硅、砷化镓的晶体结构48

2-3半导体晶体中的缺陷51

2-4电子的共有化运动和能带58

2-5晶体中电子的运动 有效质量63

本章小结68

复习思考题69

第三章掺杂半导体70

3-1本征半导体的特性70

3-2半导体掺杂76

3-3n型半导体和p型半导体79

3-4掺杂半导体在室温上下的载流子浓度83

3-5掺杂半导体的本征情况85

3-6深能级杂质和缺陷能级87

本章小结89

复习思考题90

第四章半导体中载流子的统计分布91

4-1统计的规律性91

4-2导带电子与价带空穴统计分布的一般表达式101

4-3本征情况下的费米能级和载流子浓度106

4-4杂质半导体的费米能级和载流子浓度108

4-5简并半导体费米能级的位置和载流子浓度113

4-6费米能级的物理意义118

本章小结120

复习思考题121

第五章半导体中载流子的迁移现象123

5-1金属自由电子论123

5-2半导体中载流子的运动方式127

5-3半导体的电导率和散射129

5-4电子和空穴的迁移率134

5-5电阻率同杂质浓度和材料温度的关系137

5-6半导体的霍耳效应139

本章小结142

复习思考题143

第六章非平衡载流子145

6-1非平衡载流子及其产生145

6-2非平衡载流子的复合与寿命146

6-3准平衡态与准费米能级156

6-4非平衡载流子的运动158

本章小结166

复习思考题167

第七章p-n结168

7-1 p-n结的形成及杂质分布168

7-2平衡p-n结171

7-3 p-n结的伏安特性175

7-4 p-n结的电容效应184

7-5 p-n结的击穿特性189

本章小结196

复习思考题197

第八章金属与半导体接触200

8-1金属-半导体接触200

8-2金属-半导体接触的整流特性202

8-3欧姆接触206

本章小结208

复习思考题208

第九章半导体表面209

9-1表面空间电荷区209

9-2理想MIS电容器的C-V特性212

9-3硅-二氧化硅系统的性质219

9-4实际MIS电容器的C-V特性及应用223

9-5半导体场效应应用举例——MOS场效应晶体管229

9-6表面电导率及迁移率230

本章小结231

复习思考题232

第十章半导体的光磁热电性质233

10-1半导体的光学性质233

10-2半导体的热电性质241

10-3半导体磁电效应244

本章小结250

复习思考题250

附录252

一、常用的物理常数252

二、锗、硅和砷化镓材料的物理性质252