《半导体物理基础》

目录1

上篇1

第一章原子结构1

§1-1原子的核型结构1

§1-2氢原子光谱的规律性2

§1-3玻尔的氢原子理论6

§1-4椭圆轨道12

§1-5空间量子化电子的自旋16

§1-6原子的壳层结构19

*§1-7伦琴射线的光谱25

复习思考题31

本章小结31

第二章统计物理初步33

§2-1几率论的一些基本知识33

§2-2统计的规律性38

§2-3玻耳兹曼统计分布45

§2-4费米-狄拉克统计分布48

本章小结51

复习思考题53

第三章量子力学初步54

§3-1波和粒子54

§3-2定态薛定谔方程70

§3-3势垒的反射和透入72

§3-4势垒贯穿——隧道效应74

§3-5一维方势阱76

§3-6粒子在方盒中的运动80

§3-7氢原子问题83

本章小结88

复习思考题89

第四章 晶体结构和能带论初步91

§4-1晶体的结合和结构91

§4-2电子的共有化运动和能带111

§4-3导体、半导体和绝缘体的能带结构114

§4-4晶体中电子的运动有效质量116

*§4-5一维周期场120

§4-6布里渊区124

本章小结128

复习思考题128

下篇130

第五章掺杂半导体130

§5-1本征半导体的特性130

§5-2半导体掺杂135

§5-3n型半导体和p型半导体137

§5-4掺杂半导体在室温上下的载流子浓度141

§5-5掺杂半导体的本征情况144

§5-6深能级杂质和缺陷能级145

本章小结147

复习思考题148

§6-1导带电子与价带空穴统计分布的一般表达式149

第六章半导体中载流子的统计分布149

§6-2本征情况下的费米能级和载流子浓度153

§6-3杂质半导体的费米能级和载流子浓度155

§6-4简并半导体费米能级的位置和载流子浓度159

§6-5费米能级的物理意义163

本章小结165

复习思考题166

第七章半导体中载流子的迁移现象167

§7-1金属自由电子论167

§7-2半导体中载流子的运动方式171

§7-3半导体的电导率和散射172

§7-4电子和空穴的迁移率177

§7-5电阻率同杂质浓度和材料温度的关系180

§7-6半导体的霍耳效应182

本章小结185

复习思考题186

第八章非平衡载流子187

§8-1非平衡载流子及其产生187

§8-2非平衡载流子的复合与寿命188

§8-3准平衡态与准费米能级198

§8-4非平衡载流子的运动200

本章小结207

复习思考题208

§9-1 p-n结的形成及杂质分布209

第九章p-n结209

§9-2平衡p-n结212

§9-3 p-n结的伏安特性215

§9-4 p-n结的电容效应224

§9-5 p-n结的击穿特性229

§9-6金属与半导体的接触235

本章小结241

复习思考题242

第十章半导体表面245

§10-1表面空间电荷区245

§10-2理想MIS电容器的C-V特性248

§10-3硅－二氧化硅系统的性质255

§10-4实际MIS电容器的C-V特性及应用258

§10-5半导体场效应应用举例——MOS场效应晶体管264

§10-6表面电导率及迁移率265

本章小结266

复习思考题266

第十一章半导体的光磁热电性质268

§11-1半导体的光学性质268

§11-2半导体的热电性质275

§11-3半导体磁电效应278

本章小结282

复习思考题283

附录283

一、常用的物理常数283

二、锗、硅和砷化镓材料的物理性质284