《半导体物理学》
作者 | 果玉忱编 编者 |
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出版 | 北京:国防工业出版社 |
参考页数 | 273 |
出版时间 | 1988(求助前请核对) 目录预览 |
ISBN号 | 7118003530 — 求助条款 |
PDF编号 | 86973838(仅供预览,未存储实际文件) |
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第一章半导体中的电子状态1
1-1 电子的运动状态和能级1
1-2 在外力作用下晶体中电子的运动10
1-3 晶体的导电性16
1-4 能带结构与回旋共振19
1-5 半导体的种类及其应用24
1-6 常见半导体的能带结构25
1-7 本征半导体和杂质半导体35
1-8 缺陷能级43
参考文献44
第二章热平衡载流子的统计分布规律45
2-1 状态密度45
2-2 载流子的统计分布48
2-3 电子和空穴嵌度的一般表示式52
2-4 本征半导体的载流子浓度58
2-5 掺一种杂质的半导体62
2-6 同时掺有施主和受主的半导体——杂质补偿半导体71
2-7 简并半导体76
参考文献82
第三章半导体在电磁场中的电荷输运现象83
3-1 载流子的散射83
3-2 电导现象93
3-3 迁移率和电导率97
3-4 电导率的统计理论102
3-5 霍耳效应110
3-6 磁阻效应简介117
参考文献118
第四章非平衡载流子119
4-1 非平衡载流子的注入、寿命和准费米能级119
4-2 复合过程的性质和直接复合的理论125
4-3 间接复合——复合中心理论131
4-4 陷阱效应139
4-5 非平衡载流子的扩散运动142
4-6 非平衡载流子的漂移和扩散运动、爱因斯坦关系式147
4-7 连续性方程式149
4-8 双极扩散和双极漂移157
参考文献159
第五章p-n结160
5-1 p-n结及其能带图160
5-2 p-n结电流电压特性165
5-3 p-n结电容183
5-4 p-n结击穿197
5-5 n+-n结和p+-p结207
参考文献208
第六章金属-半导体接触和异质结209
6-1 M-S接触的势垒模型210
6-2 肖特基势垒的整流理论220
6-3 欧姆接触:非整流的M-S结226
6-4 异质结228
参考文献235
第七章半导体表面236
7-1 半导体表面(面界)结构236
7-2 外电场(电荷)和表面感生电荷层239
7-3 MIS结构的电容—电压特性251
参考文献264
附录1 费米-狄拉克积分265
附录2 爱因斯坦的一般关系式270
附录3 常用的物理常数272
附录4 室温(300K)下硅、锗、砷化镓及二氧化硅的某些重要性质273
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