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第一章半导体中的电子状态1

1-1 电子的运动状态和能级1

1-2 在外力作用下晶体中电子的运动10

1-3 晶体的导电性16

1-4 能带结构与回旋共振19

1-5 半导体的种类及其应用24

1-6 常见半导体的能带结构25

1-7 本征半导体和杂质半导体35

1-8 缺陷能级43

参考文献44

第二章热平衡载流子的统计分布规律45

2-1 状态密度45

2-2 载流子的统计分布48

2-3 电子和空穴嵌度的一般表示式52

2-4 本征半导体的载流子浓度58

2-5 掺一种杂质的半导体62

2-6 同时掺有施主和受主的半导体——杂质补偿半导体71

2-7 简并半导体76

参考文献82

第三章半导体在电磁场中的电荷输运现象83

3-1 载流子的散射83

3-2 电导现象93

3-3 迁移率和电导率97

3-4 电导率的统计理论102

3-5 霍耳效应110

3-6 磁阻效应简介117

参考文献118

第四章非平衡载流子119

4-1 非平衡载流子的注入、寿命和准费米能级119

4-2 复合过程的性质和直接复合的理论125

4-3 间接复合——复合中心理论131

4-4 陷阱效应139

4-5 非平衡载流子的扩散运动142

4-6 非平衡载流子的漂移和扩散运动、爱因斯坦关系式147

4-7 连续性方程式149

4-8 双极扩散和双极漂移157

参考文献159

第五章p-n结160

5-1 p-n结及其能带图160

5-2 p-n结电流电压特性165

5-3 p-n结电容183

5-4 p-n结击穿197

5-5 n+-n结和p+-p结207

参考文献208

第六章金属-半导体接触和异质结209

6-1 M-S接触的势垒模型210

6-2 肖特基势垒的整流理论220

6-3 欧姆接触:非整流的M-S结226

6-4 异质结228

参考文献235

第七章半导体表面236

7-1 半导体表面(面界)结构236

7-2 外电场(电荷)和表面感生电荷层239

7-3 MIS结构的电容—电压特性251

参考文献264

附录1 费米-狄拉克积分265

附录2 爱因斯坦的一般关系式270

附录3 常用的物理常数272

附录4 室温(300K)下硅、锗、砷化镓及二氧化硅的某些重要性质273