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目录1

第一章 晶格结构和结合性质1

§1.1晶体的结构1

§1.2半导体的结合性质12

§1.3晶格缺陷23

§1.4半导体表面的再构34

第一章 参考文献38

§2.1晶体中的能带41

第二章 半导体中的电子状态41

§2.2晶体中电子的运动52

§2.3导电电子和空穴60

§2.4常见半导体的能带结构65

§2.5杂质和缺陷能级80

§2.6重掺杂半导体96

§2.7表面态99

第二章 参考文献103

第三章 电子和空穴的平衡统计分布108

§3.1费米分布函数109

§3.2载流子浓度对费米能级的依赖关系112

§3.3本征载流子浓度118

§3.4非本征半导体的统计121

§3.5简并情形的统计137

§3.6费米能和化学势141

§3.7化合物半导体中的自补偿147

第三章 参考文献152

§4.1电导和霍尔效应的分析154

第四章 输运现象154

§4.2载流子的散射169

§4.3电导的统计理论181

§4.4霍尔效应的统计理论190

§4.5磁阻202

附录4.1电阻率和霍尔效应的测量方法214

附录4.2玻尔兹曼积分微分方程和弛豫时间的存在性218

附录4.3电阻率和杂质浓度的对应关系224

第四章 参考文献225

§5.1过剩载流子及其产生和复合227

第五章 过剩载流子227

§5.2过剩载流子的扩散233

§5.3过剩载流子的漂移和扩散241

§5.4双极扩散和双极漂移248

§5.5丹倍效应和光磁效应252

§5.6表面复合对寿命的影响255

§5.7直接复合259

§5.8间接复合272

§5.9陷阱效应289

§5.10空间电荷的弛豫297

第五章 参考文献299

第六章 pn结303

§6.1pn结及其伏安特性303

§6.2pn结电容317

§6.3pn结的光生伏特效应333

§6.4pn结中的隧道效应339

第六章 参考文献351

§7.1表面感生电荷层354

第七章 半导体表面层和MIS结构354

§7.2MIS电容360

§7.3界面态及其电容效应379

§7.4表面电导和场效应396

§7.5表面复合403

§7.6表面量子化408

§7.7沟道迁移率413

附录7.1半导体表面层电荷和电容作为Vs的函数的一般表示式420

第七章 参考文献422

第八章 金属半导体接触和异质结427

§8.1金属-半导体接触428

§8.2肖特基二极管的电流433

§8.3势垒高度446

§8.4异质结457

§8.5异质结中的电流469

§8.6半导体超晶格478

§8.7空间电荷限制电流481

第八章 参考文献490

主题索引496

重要的物理常数511