《无机半导体物理》
作者 | 武明堂,周晓华主编 编者 |
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出版 | 西安:西安交通大学出版社 |
参考页数 | 198 |
出版时间 | 1995(求助前请核对) 目录预览 |
ISBN号 | 7560506704 — 求助条款 |
PDF编号 | 81290738(仅供预览,未存储实际文件) |
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第一章半导体中的电子状态1
1-1 能带的形成1
1-2 电子、空穴的有效质量5
1-3 半导体的能带结构8
1-4 半导体中杂质与缺陷能级12
主要参考文献18
第二章热平衡载流子19
2-1 热平衡载流子19
2-2 掺杂半导体的载流子浓度23
2-3 费米能级与杂质浓度和温度的关系27
2-4 简并半导体28
2-5 迁移率与杂质浓度和温度的关系30
2-6 电阻率33
2-7 霍耳效应35
主要参考文献37
第三章非平衡载流子38
3-1 非平衡载流子及其寿命38
3-2 非平衡载流子的复合机制42
3-3 陷阱效应49
3-4 非平衡载流子的运动51
主要参考文献57
第四章半导体表面、界面及接触现象58
4-1 半导体表面效应58
4-2 p-n结66
4-3 金属半导体接触74
4-4 半导体异质结和超晶格78
主要参考文献86
第五章金属氧化物半导体基础88
5-1 金属氧化物的晶体结构和能带结构88
5-2 金属氧化物晶体中的点缺陷95
5-3 质量作用定律100
5-4 平衡点缺陷浓度与氧分压的关系101
5-5 平衡点缺陷浓度与温度的关系111
5-6 非化学计算金属氧化物量112
5-7 金属氧化物晶体中的输运现象116
主要参考文献120
第六章典型金属氧化物及其物理效应122
6-1 氧化锌半导瓷及其物理效应122
6-2 BaTiO3半导瓷及PTC效应129
6-3 SrTiO3半导瓷及电容—压敏效应136
6-4 SnO2、TiO2氧化物及气敏特性139
6-5 过渡金属氧化物及NTC效应144
主要参考文献148
第七章化合物半导体149
7-1 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体149
7-2 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体155
7-3 Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体164
主要参考文献165
第八章非晶态半导体167
8-1 非晶态半导体的结构167
8-2 非晶态半导体中的电子态172
8-3 非晶态半导体的电性质174
8-4 非晶态半导体的光学性质180
8-5 非晶态半导体的应用185
主要参考文献186
各章习题与思考题188
附表1主要参数符号表191
附表2 常用物理常数表193
附表3 半导体材料物理性质表194
1995《无机半导体物理》由于是年代较久的资料都绝版了,几乎不可能购买到实物。如果大家为了学习确实需要,可向博主求助其电子版PDF文件(由武明堂,周晓华主编 1995 西安:西安交通大学出版社 出版的版本) 。对合法合规的求助,我会当即受理并将下载地址发送给你。
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