《半导体物理基础》
| 作者 | 黄昆，韩汝琦著 编者 |
|---|---|
| 出版 | 北京：科学出版社 |
| 参考页数 | 391 |
| 出版时间 | 1979（求助前请核对） 目录预览 |
| ISBN号 | 13031·991 — 求助条款 |
| PDF编号 | 86857708（仅供预览，未存储实际文件） |
| 求助格式 | 扫描PDF（若分多册发行，每次仅能受理1册） |
第一章掺杂半导体的导电性1
第一节 掺杂和载流子1
第二节 电导率和电阻率5
第三节 迁移率13
第四节 测量电阻率的四探针方法21
第五节 扩散薄层的方块电阻26
第二章能级和载流子37
第一节 量子态和能级39
第二节 多子和少子的热平衡51
第三节 费米能级59
第四节 电子的平衡统计分布规律73
第五节 非平衡载流子的复合89
第六节 非平衡载流子的扩散101
第三章PN结110
第一节 PN结的电流-电压关系110
第二节 空间电荷区中的复合和产生电流126
第三节 晶体管的电流放大作用140
第四节 高掺杂的半导体和PN结149
第五节 PN结的击穿158
第六节 PN结的电容效应186
第七节 金属-半导体接触198
第四章半导体表面221
第一节 表面空间电荷区及反型层222
第二节 MIS电容器——理想C(V)特性233
第三节 实际MIS电容器的C(V)特性及应用249
第四节 硅-二氧化硅系统的性质261
第五节 MOS场效应晶体管269
第六节 电荷耦合器件288
第五章晶格和缺陷304
第一节 晶格305
第二节 空位和间隙原子332
第三节 位错343
第四节 层错364
第五节 相变和相图375
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