《表3 Ti膜沉积工艺参数》

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《MEMS器件真空封装用非蒸散型吸气剂薄膜研究概述》

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电子束蒸发可用于NEG薄膜的制备，法国的微电子研究所对电子束蒸发Ti膜做了大量研究，他们通过电子束蒸发制备了具有多孔表面的薄膜[36-37]。华中科技大学在研究MEMS真空封装时提出利用NEG薄膜技术达到漏率低于1×10-7Pa·m L/s的要求，并对Ti膜吸气剂进行了初步研究。在封帽硅片内部电子束蒸发Ti膜，并在键合过程中采用热激活工艺对Ti膜吸气剂进行激活，整个过程与MEMS器件的封装过程兼容。Ti膜吸气剂的生长工艺参数如表3所示，Ti膜截面形貌如图7所示。吸气剂对H2的吸气量约为10 Pa·m L/cm2，初始吸气速率为10 m L/（s·cm2）。与文献报道进行对比发现，该Ti膜吸气剂与SAES研发的吸气剂相比有一定差距[38]。