《表1 SiO2薄膜基础工艺参数》

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《基于PECVD的TSV深孔绝缘层沉积工艺优化》

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使用金刚石玻璃刀对掩膜样品划片，获得9个约5 cm×5 cm的小样片，分别编号为样品1#～9#，使用高温胶带将小样片粘附在其他8英寸裸硅载片中心区域，在PECVD机台上沉积2μm厚的SiO2。SiO2薄膜基础工艺参数如表1所示，在沉积温度、反应气体体积流量、TEOS质量流量不变的基础上，分别改变低频功率、腔室压力、沉积次数3个条件进行样品制备，具体优化工艺参数如表2所示。由表2可知，样品1#、2#和3#只改变了低频功率；样品4#、5#和6#只改变了腔室压力；样品7#、8#和9#在总沉积时间不变的条件下，改变了沉积次数，每次沉积的时间相同。