《表2 SiO2薄膜优化工艺参数》
使用金刚石玻璃刀对掩膜样品划片,获得9个约5 cm×5 cm的小样片,分别编号为样品1#~9#,使用高温胶带将小样片粘附在其他8英寸裸硅载片中心区域,在PECVD机台上沉积2μm厚的SiO2。SiO2薄膜基础工艺参数如表1所示,在沉积温度、反应气体体积流量、TEOS质量流量不变的基础上,分别改变低频功率、腔室压力、沉积次数3个条件进行样品制备,具体优化工艺参数如表2所示。由表2可知,样品1#、2#和3#只改变了低频功率;样品4#、5#和6#只改变了腔室压力;样品7#、8#和9#在总沉积时间不变的条件下,改变了沉积次数,每次沉积的时间相同。
图表编号 | XD00145028400 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2020.06.15 |
作者 | 唐伟、王文杰、吴道伟、李宝霞、杜亚飞、赵鸿 |
绘制单位 | 西安科技大学机械工程学院、西安科技大学机械工程学院、西安微电子技术研究所、西安微电子技术研究所、西安微电子技术研究所、西安科技大学机械工程学院、西安微电子技术研究所 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |