《表2 含有芳杂环结构的PI及PI/SiO2混合薄膜的耐热稳定性数据》

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《含芳杂环结构的聚酰亚胺/SiO_2杂化薄膜及性能研究》

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制备的PI及PI/SiO2混合薄膜的Tan啄-T曲线和TGA曲线如图3所示，PI薄膜具体的热学性能数据列于表2。薄膜Tg在472～488℃之间，其中PI-0的Tg最低，为472℃。随着SiO2的加入，Tg有所提高，这主要是因为纳米SiO2微球与PI链端的氨基相互作用而形成三维网络分子结构，限制了PI分子链的移动，如图1所示。此外，由于R106相对于R202的比表面积较大，具有较优的分散性，因此SiO2的均匀分布提高了分子链运动的整体限制性，表现为Tg较高，当R106质量分数为10%时，Tg可达488℃。热失重曲线如图3(b）所示，PI-0薄膜的热失重曲线在200℃之前有个明显的坡度，造成这种质量损失的原因可能是，苯并咪唑中亲水氢键的存在导致薄膜吸湿性较高。SiO2加入后，由于其本征优异的耐热性和疏水性，PI/SiO2混合薄膜的1%热失重温度得到明显提高，可见在PI基体中混入SiO2有利于提高材料的耐热稳定性。