《表2 Ar+原位刻蚀9 min的不同Ta N薄膜的原子分数》

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《TaN薄膜的等离子体增强原子层沉积及其抗Cu扩散性能》

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为了进一步探究薄膜中元素之间的成键情况，分析了Ta 4f和C 1s的XPS高分辨率图谱。如图5a所示，Ta 4f的高分辨率谱可分为代表不同化学键的三个小峰。其中位于23.8±0.2 eV和23±0.1 eV的峰分别对应Ta-N[14，28～30]和Ta-C[28，31]，而位于26±0.2 eV的峰对应Ta-O[32，33]。在C1s的高分辨谱（图5b）中可见位于282.7±0.1 eV[28，31]的C-Ta、位于284.7 eV[34]的C-C和位于286.3 eV[31，32]的C-O的信号。可以看出，随着衬底温度的提高Ta 4f的信号逐渐增强，Ta-N的含量也逐渐提高到70%，而Ta-C键的含量逐渐降低，C 1s的信号逐渐减弱。这与表2中各元素的原子百分比含量变化趋势一致。