《表1 基体及不同Ar/N2流量比制备的薄膜的表面粗糙度》

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《磁控共溅射法在聚碳酸酯柔性基底镀TiN研究》

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在基底温度50℃条件下，PC基体及不同Ar/N2流量比制备的薄膜二维和三维表面形貌如图2所示。PC基体表面光滑平整，粗糙度仅为3 nm，溅射薄膜后，二维图形中可以看出，在PC的表面形成了大小不一的颗粒状物，从三维图形中，可以看出，溅射的颗粒状物成圆锥形分布在PC基体的表面。表1为基体PC及不同Ar/N2流量比制备的薄膜的表面粗糙度。从表可以看出，随着N2含量的增加，溅射的薄膜粗糙度逐渐下降。这是因为，在控制溅射总压一定的条件下，N2含量较小时氩气含量较高，电离出的Ar+数目较多，溅射速率快，溅射出较多的Ti原子，此时，形成的溅射膜中金属Ti含量高，形成的颗粒也较大，随着N2流量比的增加，电离出的Ar+数目减少，溅射出的Ti原子减少，薄膜的沉积速率也下降，趋于平缓，形成的溅射膜中N元素的含量增加，晶粒较小，且分布的较均匀。