《表1 不同摩尔比的异质CMT/CT薄膜的表面粗糙度和介电性能》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《结构优化的异质Ca(Mg_(1/3)Ta_(2/3))O_3/CaTiO_3薄膜介电性能》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

造成该现象原因有：1)在热处理过程中由于有机物的分解，减小了金属离子的吸附位并且增强了金属离子的活性和表面能；2)由于CMT和CT薄膜之间存在着相互扩散，在同样的厚度下，对于不同摩尔比的CMT/CT薄膜其异质界面数是不同的。当n（CMT）:n（CT）=1:1时，CMT/CT薄膜的异质界面数最多，而当n（CMT）:n（CT）=3:1时，CMT/CT薄膜的异质界面数最少，从而形成了不同数量的过渡层。根据文献[17]表明：表面异质界面数的增加有利于粗糙度的减小。此外，CMT和CT之间由于晶胞参数不同，因此，CMT和CT层之间存在晶格失配，而这能在一定程度上抑制晶格弛豫，减小上一层所积累的粗糙度，并且随着异质界面数的增加能够累积。因此，当n（CMT）:n（CT）=1:1时，异质CMT/CT薄膜拥有最小的表面粗糙度。