《表3 因子回归：1/BDV与芯片直径、芯片厚度和留边量方差分析结果》

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《影响Y电容器击穿电压的因子探讨》

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注：以未编码单位表示的回归方程1/BDV=0.077 9+0.019 08芯片直径-0.043 05芯片厚度+0.231 0留边量-0.030 69芯片直径*留边量

对上述结果，根据模型分析步骤“拟合选定模型—>进行残差诊断—>模型优化改进（含宏指令）”等作业，发现对输出特性BDV进行相应的变换（变换为原来BDV的倒数）后，所建模型各个方面拟合得会更好；最后，我们看到改进后的模型分析结果如表3所示。从表3中可以看出，弯曲、失拟和残差分析都比先前模型要好，模型汇总相关参数S在变小，R-sq（调整）、R-sq（预测）在提高。