《表1 试验方案与试验数据》

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《影响Y电容器击穿电压的因子探讨》

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注：1）留边量是理论上计算的，没有考虑实际单一银电极圆面与芯片圆面中心之间的偏移；而将中心间的偏移量对Y电容器BDV值的影响纳入到试验模型误差项中；2）因现有的印刷银电极生产工艺原因，暂无法保证留边量为0（即行业说的满电极）

试验模型方案如表1左侧背景阴影区，表1右侧为后续试验结果数据。