《表2 底物拓展：碱促进醛亚胺的快速氢硅化反应》

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《碱促进醛亚胺的快速氢硅化反应》

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确定了上述最优条件后，采用DEMS为还原剂，对亚胺氢硅化反应的底物范围进行了简单研究.具体结果见表2.根据实验结果可以看出，底物中的位阻作用对于反应并没有影响，当使用含萘的底物（3b），或苯环的邻位有甲基（3c）、甲氧基（3d）等位阻基团取代时，均能以优秀的产率得到相应目标产物.随后考察了苯环上不同电性取代基对于反应的影响，发现芳环上含有供电子基或吸电子基时，该体系均可适用（3d～3i）.在官能团耐受性考察中，发现卤素（3e，3f）、甲硫基（3g）、三氟甲基（3h）、三氟甲氧基（3i）、炔基（3j）等基团均能兼容反应条件.尤其是，底物含有卤素和炔等官能团取代基时，反应未受明显影响，这为底物的进一步修饰提供了可能.有意思的是，将氮上取代基更换为丁基或Boc保护基时，或者使用烷基醛亚胺底物，即使在80℃加热过夜条件下，几乎没有检测到产物生成，这可能是由于亚胺底物的取代基电子或位阻效应而导致活性下降.