《MOS数字大规模及超大规模集成电路》

第一章小尺寸MOS器件模型1

第一节 GCA及其局限性1

第二节 沟道区离子注入作用4

第三节 开启电压的短窄沟效应15

第四节 表面迁移率的纵向电场效应23

第五节 源漏电流IDS25

第六节 沟长调制效应35

第七节 电荷守恒电容模型39

第八节 次开启电流50

第一节 Scaling-Down的基本原理59

第二章器件尺寸缩小及其限制59

第二节 源漏穿通及次开启62

第三节 热载流子效应66

第四节 反型层电容分压72

第五节 内连线对延迟时间的影响73

第六节 尺寸缩小的限制分析77

第三章VLSI随机存储器80

第一节 DRAM单元80

第二节 灵敏恢复放大器86

第三节 DRAM总体结构102

第四节 NMOSDRAM电路形式及性能104

第五节 CMOSDRAM113

第六节 Mb级DRAM118

第七节 VLSISRAM123

第八节 冗余容错技术129

第九节 专用RAM139

第四章运算电路143

第一节 算术逻辑单元（ALU）143

第二节 其他运算器电路151

第三节 乘法器157

第五章控制电路165

第一节 简单控制器165

第二节 存储程序控制166

第三节 微程序控制169

第六章专用集成电路178

第一节 门阵列179

第二节 标准单元法187

第三节 ROM基专用电路192

第七章GaAs高速集成电路及其他新型高速电路211

第一节 材料的性质211

第二节 组成高速数字电路的器件212

第三节 电路形式215

第四节 几种高速GaAsVLSI218

第五节 高速BiCMOS技术221

第六节 高速低温CMOS电路226