《超大规模集成电路电子学》求取 ⇩

第一章　绪论1

目录1

第二章　VLSI电子学物理效应与数理方程7

2-1　半导体中的基本数理方程7

2-2　空间电荷效应9

2-3　热载流子效应19

2-4　小尺寸量子效应24

2-5　弹道效应33

2-6　约瑟夫逊效应39

参考文献47

第三章　VLSI器件基本方程的数值解49

3-1　半导体器件基本方程的数值解49

3-2　GaAs FET′s的有限元二维数值分析75

参考文献88

4-1　载流子的迁移率89

第四章　VLSI电子学基本参数和特性89

4-2　载流子的注入和复合102

4-3　半导体的热传导110

4-4　超导能隙112

4-5　超导体的穿透深度和相干长度114

参考文献120

第五章　VLSI电子学材料123

5-1　材料对器件和电路性能的影响123

5-2　合金半导体的概念125

5-3　合金半导体的原子排列127

5-4　合金半导体的晶格振动129

5-5　合金半导体的能隙与迁移率133

5-6　异质结135

5-7　超晶格材料138

5-8　超导材料143

5-9　高温超导材料特性145

5-10　高温超导薄膜149

参考文献149

第六章　GaAs VLSI电子学151

6-1　GaAs VLSI器件结构153

6-2 GaAs器件原理和电路模型160

6-3 GaAs VLSI基本电路168

参考文献178

第七章 HEMT VLSI电子学179

7-1 HEMT VLSI器件结构180

7-2 HEMT物理模型和电路模型189

7-3 HEMT大规模集成电路207

参考文献209

8-1 超导VLSI器件结构211

第八章 超导VLSI电子学211

8-2 两端超导器件物理模型222

8-3 两端超导器件电路模型238

8-4 超导量子干涉器（SQUID）工作原理与电路模245

型245

8-5 超导结型晶体管工作原理249

8-6 超导结型晶体管电路模型258

8-7 超导场效应晶体管物理模型和工作原理262

8-8 超导超大规模集成电路270

参考文献277

第九章 VLSI电子学基本极限278

9-1 VLSI物理极限280

9-2 VLSI的工艺极限306

9-3 VLSI电路复杂性极限321

9-4 VLSI经济极限325

参考文献326