《1至1.5微米超大规模集成电路专集》
作者 | 中国华晶电子集团公司中央研究所编 编者 |
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出版 | 中国华晶电子集团公司中央研究所 |
参考页数 | 149 |
出版时间 | 没有确切时间的资料 目录预览 |
ISBN号 | 无 — 求助条款 |
PDF编号 | 814423898(仅供预览,未存储实际文件) |
求助格式 | 扫描PDF(若分多册发行,每次仅能受理1册) |

加速发展1微米技术,把我国微电子产业提高到新水平(代序)1
1~1.5微米硅VLSI的发展(综述)3
32k字节集成高速缓冲存储器21
8ns 256k Bi CMOS RAM29
一种5V单电源页面型擦除的单管256k E2PROM36
具有地址多路传送的22ns的1M位CMOS高速DRAM41
TX1型32位微处理机的设计47
一种用于开关系统、执行速度为560万条指令/秒(5.6MIPS)的调入—处理式处理机54
用于高清晰度电视系统的带有单管DRAM行存储器的视频编码/译码器LSI电路60
单片16位25ns即时视频/图象信号处理器65
用于调制解调器的前端处理器71
10位视频Bi CMOS跟踪—保持放大器77
采用流水线式宽带S/H的8位50MHz CMOS分级A/D转换器87
用于ANSI际准ISDN收发信机的数字信号处理器95
高速1M位DRAM制作中的工艺技术104
CMOS VLSI 1.2微米工艺技术109
CMOS有源器件和场隔离的制造118
CMOS器件的隔离和闩锁效应的防止127
CMOS接触与互连131
具有LDD结构的CMOS热载流子保护137
兆位级电路对应的超净技术143
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