《超大规模集成电路电镜分析》

第一章超大规模集成电路技术和电子显微镜1

1.1 集成电路工艺简介1

1.2 光学显微镜及扫描电子显微镜3

1.3 透射电子显微镜6

1.4 超大规模集成电路8

第二章超大规模集成电路中应用透射电子显微镜13

2.1 引言13

2.1.1 透射电子显微镜象13

2.1.2 结晶结构及化学成分14

2.1.3 透射电子显微镜用于器件问题14

2.2 样品厚度15

2.3 样品制备17

2.3.1 复印方法18

2.3.2 水平剖面样品19

2.3.3 垂直剖面样品21

2.4 透射电子显微镜测试图形样品25

2.5 特征形貌的增强26

第三章氧化硅28

3.1 引言28

3.2 热生长二氧化硅28

3.2.1 半槽形氧化28

3.2.2 窗边缘处氧化34

3.2.3 台阶氧化39

3.2.4 多晶硅氧化43

3.3 化学气相沉积及等离子沉积氧化膜55

第四章金属化62

4.1 引言62

4.2 多晶硅63

4.3 铝72

4.4 硅化物83

第五章 结的染色94

第六章离子注入损伤102

7.2 栅区域115

第七章完整器件115

7.1 引言115

7.3 第一级金属化-衬底接触118

7.4 第二级金属化-衬底接触122

7.5 第二级金属化-第一级金属化接触127

7.6 一般器件特征137

第八章器件漏电与击穿150

8.1 引言150

8.2 PN结漏电151

8.3 栅氧化漏电及击穿154

参考文献158