《超大规模集成电路工艺技术》求取 ⇩

第一章 高性能、高集成度集成电1

路的发展动向1

1.1 前言1

1.2 MOS IC3

目录7

主要英文缩写词7

1.3 双极型IC11

1.4 其它型式IC和新型IC12

1.5 将来的方向13

参考文献14

第二章 高密度双极LSI的外延16

生长工艺16

2.1 序论16

2.2 外延生长工艺的原料和设备等问题17

2.3 外延层的评价法18

2.4 外延层的厚度和电阻率的控24

制及其均匀性24

2.5 自掺杂32

2.6 图形的塌边和错位39

2.7 外延层中的晶体缺陷41

参考文献44

2.8 结束语44

第三章 离子注入技术48

3.1 前言48

3.2 低密度离子注入49

3.3 高密度离子注入64

3.4 在LSI上的应用78

3.5 结束语82

参考文献84

第四章 高精度扩散技术88

4.1 前言88

4.2 扩散技术的现状89

4.3 扩散的基础95

4.4 扩散的异常性99

4.5 工艺模拟115

4.6 结束语116

参考文献117

第五章 微细元件的栅氧化膜120

5.1 微细化引起的变化120

5.2 微细化带来的问题121

5.3 Si-SiO2界面存在的问题165

5.4 多晶硅上氧化膜的性质174

5.5 SiO2和Si-SiO2界面特性的最新评价方法179

参考文献182

5.6 结束语182

第六章 硅上的金属薄膜188

6.1 前言188

6.2 问题的提出和研究方法188

6.3 硅表面的金属吸附层结构191

6.4 单晶硅表面上的金属薄膜193

6.5 结束语206

参考文献206

第七章 半导体表面的稳定化209

7.1 序言209

7.2 等离子体氮化膜钝化211

7.3 表面净化216

7.4 高压氧化法220

7.5 结束语225

参考文献225

第八章 用带电粒子束进行测试的226

工艺技术226

8.1 用带电粒子进行测试的方法226

8.2 离子微分析的原理227

8.3 设备和测量234

8.4 应用242

参考文献250

8.5 结束语250

第九章 工艺诱生缺陷253

9.1 前言253

9.2 工艺诱生缺陷的种类253

9.3 热应力位错255

9.4 氧化和热处理引起的堆垛层错260

9.5 缺陷对器件特性的影响268

9.6 吸除工艺270

9.7 结束语272

参考文献272

10.2 工艺设计276

10.1 前言276

第十章 工艺最佳化276

10.3 工艺改进285

10.4 结束语286

参考文献286

《特约稿件》薄膜外延生长287

1．前言287

3．核生长和逐层生长的基本特征291

2．超高真空电子显微镜“现场”观察法296

4．逐层生长的几个问题299

5．有关核生长的几个问题308

参考文献325