《超大集成电路技术 工艺评价》求取 ⇩

目录1

译序1

第一章 集成电路中的评价技术1

1.1 引言1

1.2 为了进行工艺控制所必需的评价1

1.3 工艺设备自动化和工艺评价3

1.4 变质、污染的评价8

1.5 工艺材料评价14

1.6 性能分析和失效分析17

1.7 结束语22

2.1 引言23

第二章 集成电路生产中的精密控制23

2.2 控制的形式及其特长24

2.3 掺杂中的控制27

2.4 形成膜时的控制34

2.5 腐蚀中的控制39

2.6 光刻工序中的控制42

2.7 做为综合系统的精密控制44

2.8 结束语45

第三章 硅气相外延生长及掺杂的工艺过程中控制46

3.1 引言46

3.2 在反应过程中同时进行分析47

3.3 在硅气相生长的同时进行分析49

3.4 掺杂的工艺过程中控制58

3.5 结束语68

第四章 硅气相生长中的工艺过程中评价69

4.1 引言69

4.2 对供给生长炉的气体进行工艺过程中评价70

4.3 炉内气体状态的工艺过程中评价79

4.4 结束语94

第五章 CVD的评价技术95

5.1 引言95

5.2 CVD技术的展望95

5.3 CVD技术与半导体器件98

5.4 评价CVD膜的方法102

5.5 CVD膜生长时的评价102

5.6 CVD膜质量的测量及评价105

5.7 在实际应用中进行评价108

5.8 CVD膜的评价技术109

5.9 结束语121

第六章 反射式高能电子衍射与半导体表面122

6.1 反射式高能电子衍射的最近发展122

6.2 新型的RHEED仪123

6.3 RHEED法的原理124

6.4 RHEED法的特点127

6.5 硅、锗表面的净化过程128

6.6 蒸发形成表面结构131

6.7 结束语133

7.2 SIMS法的概要及重要性134

第七章 利用二次离子质谱法评价工艺134

7.1 引言134

7.3 微量杂质的分析138

7.4 测量样品深度方向的浓度分布144

7.5 观察二次离子象153

7.6 绝缘材料的分析155

7.7 定量分析160

7.8 结束语163

第八章 等离子体刻蚀及其工艺过程中控制164

8.1 引言164

8.2 工艺过程中控制的重要性164

8.3 干蚀的机构165

8.4 干蚀中的监控法170

8.5 其他的腐蚀监测法182

8.6 今后的课题185

8.7 结束语186

第九章 闪频扫描电镜在集成电路失效分析中的应用188

9.1 引言188

9.2 SEM的电位反差图象188

9.3 闪频SEM的原理189

9.4 脉冲门控191

9.5 闪频SEM的电子光学192

9.6 闪频SEM的实例195

9.7 用闪频SEM对双极型集成电路进行失效分析的例子199

9.8 闪频SEM法所存在的问题202

9.9 结束语206

第十章 用测试图形进行工艺检验207

10.1 引言207

10.2 IC研制中的测试图形208

10.3 单项基本工艺评价测试图形211

10.4 设计规则221

10.5 元件评价测试图形224

10.6 用于LSI研制中的测试图形227

10.7 工艺数据处理230

10.8 结束语231

11.2 大规模集成电路工艺中的评价232

11.1 引言232

第十一章 集成电路、大规模集成电路的工艺线内检验和反馈232

11.3 工艺线内评价及其外围技术234

11.4 信息的归纳和整理265

11.5 环境和材料的保全268

11.6 结束语273

特邀报告 反应性离子腐蚀中硅的表面损伤274

A.1 引言274

A.2 二氧化硅的反应性离子腐蚀274

A.3 实验设备与腐蚀特性276

A.4 在RIE中硅样品表面的污染及损伤278

A.5 结束语289

参考文献291