《译文专辑 集成电路工艺技术》

一、序言1

二、实验程序1

用高压蒸气氧化抑制硅中氧化感应堆垛层错的形成1

三、实验结果与讨论2

用1.1.1.三氧乙烷作为改进硅热氧化技术的最佳添加剂6

摘要6

化学分析6

C33被选为最佳添加剂8

实验步骤8

结果和讨论9

结论14

参考文献14

参考文献16

四、结论16

氮气热处理对硅片表面的影响17

摘要17

1．引言2．实验过程17

3．结果和讨论18

4．结论22

磁硅玻璃低压化学气相生长装置23

PSG膜生长技术24

过程自动化系统26

参考文献27

参考文献27

结束语27

外延技术与大规模集成电路技术28

外延与化学气相生长用装置28

CVD技术与大规模集成电路技术29

CVD装置的动向30

外延生长装置的动向30

今后展望35

结论36

参考文献36

参考文献36

从钝化技术看提高LSI可性靠的半导体工艺技术37

摘要37

重提表面保护问题37

第一钝化层37

第二钝化层38

MOS栅氧化膜关键在于清洁度41

微细化的发展容易引起电极迁移42

不用A1的多层电极结构42

A1布线技术的改进43

晶格缺陷对器件可靠性也有影响44

半导体制造基础关系着可靠性提高47

参考文献48

摘要52

实验步骤52

大剂量离子注入时产生的表面沾污研究52

结果和讨论53

化学干腐蚀技术57

腐蚀装置的构造和实验手段57

腐蚀特性58

腐蚀终点检测61

在Si3N4膜淀积技术上的应用61

在表面处理上的应用63

参考文献64

结论64

参考文献64

结束语64

园筒型等离子腐蚀装置65

平扳型等离子腐蚀装置65

等离子腐蚀硅与介质薄膜65

平板型等离子腐蚀速率66

腐蚀速比68

光刻胶性能70

参考文献71

结论71

等离子腐蚀铝—干湿比较72

实验结果73

SiO2薄膜上光刻胶粘附失效问题76

腐蚀剂钻烛76

钻蚀机理77

整块面积的浮胶79

边缘脱胶80

远紫外曝光技术及其在器件上的应用81

远紫外曝光技术的动向81

远紫外用抗蚀剂82

光学系统84

参考文献87

用MoSi2作栅材料的新型MOS工艺88

一、序言88

二、MoSi2薄膜的特性88

三、电气性能91

四、LSI方面的应用92

结束语93

参考文献93

用于双极型器件的一种新的多晶硅工艺-PSA技术94

摘要94

1．引言2．一种新的多晶硅工艺94

3．PSA法应用例96

4．讨论97

参考文献98

实验99

序言99

塑料封装集成电路金属化的腐蚀试验99

摘要99

结果和讨论100

评价（100）硅的缺陷腐蚀方法104

摘要104

实验104

结论109

参考文献109

结论109

参考文献109

二、定义110

四、吸盘形状110

三、沾污问题110

摘要110

硅片平整度的测量原理及有关设备比较110

一、引言110

五、抽真空方法111

装置112

七、不同系统所得结果比较113

结论115

参考文献115

测量系统116

掩模和硅片的外观检查116

掩模套准系统117

缺陷检测117

其他技术118

掩模线宽测量120

摘要120

NBS标准121

使用标准的结果123