《超大规模集成电路技术》求取 ⇩

目录1

序言1

导论1

第一章 晶体生长和晶片的制备9

1.1 引言9

1.2 电子纯硅10

1.3 切克劳斯基（Czochralski）晶体生长14

1.4 硅的整形34

1.5 工艺考虑46

1.6 小结与展望50

参考文献51

习题53

第二章 外延55

2.1 引言55

2.2 汽相外延56

2.3 分子束外延81

2.4 绝缘体上硅88

2.5 外延层的评价92

2.6 小结与展望96

参考文献98

习题101

第三章 介质和多晶硅薄膜的淀积102

3.1 引言102

3.2 淀积工艺104

3.3 多晶硅108

3.4 二氧化硅117

3.5 氮化硅130

3.6 等离子体淀积132

3.7 其他材料136

3.8 小结与展望137

参考文献139

习题141

第四章 氧化143

4.1 引言143

4.2 生长机制和动力学144

4.3 氧化技术和氧化系统163

4.4 氧化层特性167

4.5 掺杂元素在界面上的再分布172

4.6 多晶硅氧化175

4.7 氧化诱发缺陷176

4.8 小结与展望179

参考文献181

习题183

第五章 扩散184

5.1 引言184

5.2 固体中的扩散模型185

5.3 菲克一维扩散模型187

5.4 原子扩散机理193

5.5 测量技术200

5.6 硼、磷、砷及锑的扩散率209

5.7 二氧化硅中的扩散222

5.8 硅中的快扩散杂质225

5.9 多晶硅中的扩散225

5.10 扩散的增强与阻滞228

5.11 小结与展望233

参考文献235

习题237

第六章 离子注入239

6.1 引言239

6.2 离子注入系统和剂量控制240

6.3 离子射程245

6.4 无序的产生258

6.5 注入掺杂剂的退火263

6.6 浅结（As，BF2）276

6.7 少数载流子效应277

6.8 吸杂278

6.9 超大规模集成电路工艺中的效应282

6.10 小结与展望283

参考文献285

习题288

7.1 引言291

第七章 刻蚀291

7.2 刻蚀工艺292

7.3 光学刻蚀300

7.4 电子束刻蚀307

7.5 X射线刻蚀315

7.6 其他刻蚀技术323

7.7 小结与展望327

参考文献329

习题330

8.1 引言332

第八章 干腐蚀332

8.2 图形转换334

8.3 低压气体放电342

8.4 等离子体腐蚀技术348

8.5 腐蚀速率和选择性控制353

8.6 边缘剖面的控制364

8.7 副作用369

8.8 超大规模集成电路技术的干法腐蚀工艺371

8.9 小结与展望377

参考文献379

习题380

第九章 金属化383

9.1 引言383

9.2 物理气相淀积方法391

9.3 金属化中遇到的问题399

9.4 金属化失效405

9.5 栅和互连用的硅化物412

9.6 侵蚀与键合420

9.7 展望421

参考文献423

习题425

第十章 工艺模拟427

10.1 引言427

10.2 外延428

10.3 离子注入433

10.4 扩散和氧化440

10.5 刻蚀452

10.6 腐蚀与淀积475

10.7 器件模拟484

10.8 小结与展望488

参考文献489

习题491

第十一章 超大规模集成电路工艺汇总493

11.1 引言493

11.2 集成电路工艺的基本问题494

11.3 双极集成电路技术497

11.4 NMOS集成电路技术511

11.5 CMOS集成电路技术530

11.6 超大规模集成电路的小型化544

11.7 现代集成电路的制造551

11.8 小结与展望554

参考文献556

习题559

第十二章 诊断技术563

12.1 引言563

12.2 形貌测定564

12.3 化学分析576

12.4 晶体结构和力学性质591

12.5 电学测绘599

12.6 小结与展望605

参考文献607

习题609

第十三章 组装技术和封装611

13.1 引言611

13.2 大圆片的切割与分类612

13.3 芯片互连613

13.4 封装类型和制造工艺632

13.5 关于封装的特殊问题645

13.6 封装应用方面的问题648

13.7 小结与展望659

参考文献661

习题663

第十四章 成品率及可靠性665

14.1 引言665

14.2 超大规模集成电路中成品率下降的机理666

14.3 成品率下降机理的模型分析670

14.4 超大规模集成电路的可靠性要求680

14.5 失效分布、可靠性及失效率的数学表示682

14.6 通用的分布函数685

14.7 加速试验694

14.8 失效机理702

14.9 小结与展望706

参考文献707

习题708

附录711

A．硅的特性711

B．符号表712

C．国际单位制714

D．物理常数714

索引716

编后记737