《基础工艺技术 大规模和超大规模集成电路》求取 ⇩

目 录1

第一章概论1

§1.1硅大规模集成电路发展的特点1

§1.2七十年代硅单片半导体集成电路工艺技术的发展5

§1.3大规模和超大规模集成电路的基础工艺技术7

第二章大直径半导体材料的制备加工技术17

§2.1大直径硅圆片制备17

§2.2硅化学汽相外延22

§2.3束流外延28

第三章微细图形加工技术（一）33

——电子束和离子束曝光技术33

§3.1扫描电子束曝光技术34

§3.2电子束复印技术47

§3.3电子束掩模检查技术55

§3.4离子束曝光技术58

第四章微细图形加工技术（二）68

——光学投影和X射线曝光技术68

§4.1光学投影曝光技术68

§4.2 X射线曝光79

§4.3多层抗蚀剂技术88

第五章微细图形加工技术（三）92

——干法腐蚀92

§5.1等离子体腐蚀92

§5.2溅射腐蚀99

§5.3各种腐蚀方法的比较及应用状况104

第六章掺杂技术107

§6.1热掺杂技术108

§6.2离子注入技术121

§6.3中子嬗变掺杂技术124

第七章 薄膜的化学汽相淀积（CVD）128

和硅的热氧化技术128

§7.1 薄膜的化学汽相淀积（CVD）128

§7.2硅的热氧化技术142

第八章布线工艺技术154

§8.1布线工艺概述154

§8.2 MOS集成电路的铝栅和多晶硅栅工艺155

§8.3难熔金属和难熔金属硅化物栅158

§8.4多层布线技术167

§8.5金属膜的淀积技术171

第九章退火技术177

§9.1热退火177

§9.2激光退火178

§9.3电子束退火189

第十章 工艺检测分析技术194

§10.1工艺检测分析的重要性194

§10.2二氧化硅膜的检测分析195

§10.3掺杂层的检测分析197

§10.4蒸发膜厚的工艺过程监测200

§10.5化学汽相淀积（CVD）膜厚的工艺过程监测201

§10.6等离子腐蚀的终点检测203

§10.7光刻掩模版的检测205