《超大规模集成电子学 微结构科学 第1册》求取 ⇩

目录1

第一章 用于超大规模集成电路的硅材料的检测1

Ⅰ．引言1

A．工艺与检测之间的相互影响1

B．硅中的杂质4

Ⅱ．检测技术10

A．化学物质的种类10

B．物理缺陷的检测29

C．电学检测36

Ⅲ．多晶硅40

A．多晶硅的生长41

B．多晶硅的检测42

Ⅳ．单晶硅45

A．生长工艺46

B．晶体生长中杂质的行为47

C．晶体材料的检测48

Ⅴ．硅片制备50

A．切割、研磨和抛光51

C．热处理史和成核52

B．背面损伤52

D．硅片的检测53

Ⅵ．小结57

附录 单晶硅中五十四种元素的性质57

参考文献87

第二章 过渡金属硅化物的形成及特性分析90

Ⅰ．引言90

Ⅱ．硅化物的形成及特性分析100

A．薄膜淀积100

B．分析工具101

C．横向无限薄膜106

D．硅上的单金属薄膜106

E．硅上的多层薄膜149

F．硅上的多元薄膜152

G．横向有限薄膜158

Ⅲ．硅化物的转变160

A．在硅上生长的硅化物层的稳定性160

B．氧化气氛中的硅化物层164

互作用172

C．过渡金属硅化物与淀积在它上面的金属薄膜的相172

Ⅳ．硅化物的性质173

A．过渡金属硅化物的电学性质173

B．硅化物与硅接触的势垒高度175

C．多性能的硅化物182

附录　硅化物表185

参考文献275

第三章　用于超大规模集成电路的硅材料的性质285

Ⅰ．引言285

Ⅱ．硅材料的制备和超大规模集成电路：概述287

Ⅲ．对于超大规模集成电路至关重要的硅材料现象295

A．原生点缺陷的均匀分布295

B．从电路的AEG处吸除有害点缺陷299

C．从电路的AEG处排除晶体应变和材料的不完整性305

D．在整个超大规模集成电路工艺中保持片子的平314

整度314

Ⅳ．点缺陷和晶体应变在超大规模集成电路中的电学效应316

Ⅴ．硅材料工艺演变的历史沿革327

Ⅵ．结论：建议333

参考文献336

第四章 用于超大规模集成电路的材料的检测344

Ⅰ．引言344

Ⅱ．化学分析346

A．电子束激发348

B．离子束激发354

C．X射线激发359

Ⅲ．成象363

A．表面成象363

Ⅳ．物理缺陷检测364

B．化学物质成象364

A．X射线形貌术365

B．透射电子显微术367

C．离子背散射370

D．电子束激发370

Ⅴ．电学功能性质373

A．深能级瞬态能谱373

B．寿命374

Ⅵ．超大规模集成电路检测技术的要求374

参考文献376