《超大规模集成电子学 微结构科学 第4册》求取 ⇩

目录1

第一章 VLSI中按比例缩小的M0S和双极工艺技术1

Ⅰ．引言1

A．工艺演变和产品周期2

B．先进的MOS和双极型器件结构8

C．VLSI面临的挑战12

D．MOS和双极型VLSO的通用工艺16

A．光刻16

B．图形传递24

C．隔离28

D．互连32

Ⅲ．MOS器件的按比例缩小及其工艺实现39

A．VLSI中按比例缩小的MOS器件41

B．按比例缩小的MOS工艺研究45

C．器件特性和工艺特性58

D．LSI的制造和特性64

Ⅳ．双极型器件的按比例缩小及其工艺实现66

A．双极型器件按比例缩小的种种问题71

B．复杂电路的按比例缩小82

C．一种双极型情况的研究84

Ⅴ．结论94

参考文献95

第二章对VLSI制造中先进光刻设备的评价100

Ⅰ．引言100

A一般引言100

B．八十年代的工业需要101

A．系统的技术指标——主要参数103

Ⅱ．光刻工艺的一般性质103

B．分辨率107

C．对准－套刻107

D．生产率、开机工作时间、生产量109

E．工艺与系统的互相影响115

F．成本－性能116

Ⅲ．光学光刻118

A．一般考虑118

B．系统的部件119

C．一些新概念122

A．现有方法123

Ⅳ．电子柬精细光刻123

B．电子束光刻中主要竞争者的选择126

Ⅴ．X射线光刻127

Ⅵ．混合式光刻128

Ⅶ．最新形势128

A．光学光刻的近况128

B．电子束光刻的近况131

C．X射线光刻的近况131

A．基本限制的研究134

Ⅷ．其他考虑134

B．最新腐蚀方法的使用135

C．CAD、自动化、集成化制造135

D．检查和测量技术137

E．材料的可供性和环境问题138

Ⅸ．未来的精细光刻系统以及它们与未来工厂间的关系139

X．总结和结论141

参考文献142

Ⅰ．引言144

第三章VLSI的激光直接加工144

Ⅱ．激光直接加工的设备148

Ⅲ．激光腐蚀150

A．半导体150

B．金属154

C．绝缘体155

A．半导体156

Ⅳ．激光淀积157

B．金属158

C．绝缘体160

Ⅴ．激光掺杂162

Ⅵ．应用165

A．平面制造165

B．非平面制造172

Ⅶ．总结和前景175

参考文献177

第四章用于VLSI的超薄栅介质工艺182

Ⅰ．引言182

Ⅱ．薄氧化层的生长183

A．漏电184

Ⅲ．薄氧化层的性能及其描述184

B．击穿187

C．缺陷密度190

D．C-V特性曲线192

Ⅳ．与工艺过程有关的问题193

A．基本的MOS工艺流程193

B．与VLSI工艺的兼容性196

A．MOS晶体管的按比例缩小200

Ⅴ．与器件有关的薄氧化层200

B．静态RAM204

C．动态RAM205

D．电可编程序ROM209

E．电可擦可编程序ROM210

F．可靠性211

Ⅵ．其他介质的情况212

参考文献213

符号一览表216

第五章提高硅集成电路性能的限制216

缩写一览表217

1．写在前面的评论217

A．VLSI的小型化217

B．VLSI的多种含义219

Ⅱ．引言221

Ⅲ．物理限制225

A．光速226

B．热能227

C．噪声230

D信号电平231

E．热产生232

F．最终的限制233

Ⅳ．工艺限制234

A．材料常数234

B．器件参数237

C．按比例缩小245

D．低温工作251

E．微细加工问题254

F．验证电路263

Ⅴ．复杂性限制268

A．冗余度268

B．设计复杂性270

C．密度的度量272

D．存贮器274

E．逻辑电路276

F．光刻的进步277

G．经济约束280

Ⅵ．小结281

参考文献282

第六章VLSI中的噪声289

Ⅰ．引言289

Ⅱ．VLSI中的噪声源290

A．热噪声290

B．散粒噪声291

C．双极晶体管中的猝发噪声292

D．MOSFET中的闪烁噪声293

Ⅲ．VLSI构块的噪声输出294

E．双极晶体管中的闪烁噪声294

A．FET电路295

B．双极晶体管电路303

C．器件的高频噪声性能308

D．双极晶体管VLSI电路中猝发噪声的影响311

E．VLSI电路中的1/f噪声312

F．阈电压313

G．Wallmark方法316

Ⅳ．交叉耦合316

A．容性和感性耦合318

B．公共阻抗耦合320

Ⅴ．VLSI中由α粒子和宇宙射线引起的软失效321

A．α粒子322

B．宇宙射线328

Ⅵ．按比例缩小332

A．电路按比例缩小后的噪声参数（v2）1/2332

B．电路按比例缩小后的交叉耦合334

C．电路按比例缩小后α粒子和宇宙射线的影响334

参考文献335