《超大规模集成电子学 微结构科学 第2册》求取 ⇩

目录1

第一章超高速砷化镓超大规模集成电路：途径、潜力1

和进展1

Ⅰ．引言1

Ⅱ．用于超高速超大规模集成电路中的砷化镓器件的实现方法3

A．迁移率对超大规模集成电路的重要性4

B．高迁移率器件：高电子迁移率晶体管6

C．饱和与弹道输运效应6

D．速度饱和对场效应晶体管性能的影响8

E．很低逻辑电压摆幅工作的限制9

F．用于超高速超大规模集成电路中的砷化镓异质结双极晶体管10

G．对超大规模集成电路有希望的砷化镓器件的比较15

Ⅲ．超大规模集成电路设计的成品率分析和推断19

A．致命故障密度引起的成品率降低20

B．器件参数统计变化引起的成品率降低23

Ⅳ．用于超高速砷化镓超大规模集成电路的肖特基二极管-场效应晶体管逻辑电路28

Ⅴ．平面砷化镓大规模／超大规模集成电路制作工艺33

A．平面离子注入制作工艺34

B．先进的微结构图形复印技术41

C．高成品率平面多层互连44

D．砷化镓大规模／超大规模集成电路工艺现状47

Ⅵ．平面肖特基二极管-场效应晶体管逻辑砷化镓大规模集成电路性能的实验结果49

Ⅶ．小结61

参考文献62

第二章 用于超大规模集成电路和超高速集成电路中的65

绝缘体上硅膜65

Ⅰ．引言65

A．绝缘体上硅膜的基本结构65

B．研究绝缘体上硅膜结构的原始动机和早期工作67

Ⅱ．绝缘体上硅膜结构在超大规模集成电路／超高速集成电路中的应用71

A．集成电路工艺的发展趋势71

B．未来工艺的要求72

C．理想场效应晶体管的结构和基本原理83

D．用于理想场效应晶体管结构的绝缘体上硅膜的优点89

Ⅲ．各种在绝缘体上形成硅膜的技术90

A．蓝宝石上外延硅90

B．绝缘体上硅膜的束致再结晶98

C．用大剂量离子注入在绝缘体上形成硅膜105

D．图形外延109

E．其他技术111

Ⅳ．结论113

A．对各候选技术的评价113

B．小结116

参考文献117

第三章 介质膜的特性124

Ⅰ．引言和背景124

Ⅱ．栅介质的基本结构和性质131

Ⅲ．介质电荷的分类141

Ⅳ．氧化层电荷的空间位置150

Ⅴ．界面陷阱的数量和能级位置161

Ⅵ．可动离子电荷的温度效应171

Ⅶ．氧化层内注入电荷的俘获185

Ⅷ．介质层特性表征在超大规模集成电路中的作用197

参考文献207

第四章 器件性能的量子力学极限213

Ⅰ．逻辑器件的基本极限213

A．定义及其重要性213

B．功率-延迟乘积214

C．抽象逻辑门模型215

D．热力学极限220

E．驱动功率224

F．量子极限：测不准原理226

G．低温工作的主要益处及其限制227

Ⅱ．与工艺无关的量子极限229

A．量子逻辑门模型229

B．错误概率231

C．功耗-延迟关系235

D．多粒子模型236

E．不可约软失效率243

参考文献243

Ⅰ．引言245

第五章 硅外延膜的特性245

Ⅱ．外延生长的工艺过程248

A．一般分类248

B．汽相外延249

C．工艺技术252

D．杂质输运255

Ⅲ．电学特性的测量264

A．电阻率的测量265

B．载流子寿命的测量267

C．掺入杂质分布的测量270

Ⅳ．物理和光学特性表征287

A．厚度测量——历史287

B．椭圆偏振技术289

C．红外反射技术290

D．傅里叶变换红外光谱297

E．光致发光304

Ⅴ．外延缺陷特性表征305

A．缺陷的电学性质306

B．外延工艺引入的缺陷310

C．缺陷的预防313

Ⅵ．外延缺陷的测量316

A．低浓度杂质的测量316

B．显微技术318

Ⅶ．小结324

参考文献325

第六章 用于超大规模集成电路的材料的表面检测与分337

析337

Ⅰ．引言337

A．概述337

B．真空方面的考虑340

A．俄歇谱和扫描俄歇谱341

Ⅱ．表面分析技术341

B．光电子谱349

Ⅲ．在工艺流程中的应用353

A．体硅单晶的生长353

B．硅片制备354

C．金属化和器件357

D．压焊点361

E．封装和钝化361

Ⅳ．未来的发展趋势和需求363

A．现用技术的扩展363

B．同步辐射364

C．声学显微镜365

D．喇曼微探针368

参考文献369