《表2 不同工作压强下DLC薄膜的拉曼光谱分析》

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《工作压强对PECVD法制备DLC薄膜微观结构与力学性能的影响》

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表2列出了沉积在不锈钢基体上DLC薄膜的高斯函数拟合后拉曼峰的详细信息。在2 Pa时，D峰的峰位和半高宽以及G峰的峰位分别为1357.2、385.7及1539.9 cm-1，均小于其他压强的数值，同时，G峰的半高宽为210.5 cm-1，大于其他压强数值，所计算的ID/IG数值在2 Pa时为最小值1.507。说明在工作压强为2 Pa时的DLC薄膜中的sp3键含量最高。从1Pa到2 Pa的过程中，随着工作压强的增大，辉光放电强度有所提高，网笼内离子获得的能量升高，沉积到基体的过程中更易造成薄膜内晶格的畸变，导致DLC薄膜中sp2键紊乱程度增加，sp3键含量上升。但当压强进一步增加到3 Pa时，根据亚表层注入模型[3]，粒子的总能量继续增加，从而对DLC薄膜表面强烈轰击，导致膜的表面温度升高，由于热迁移的作用使亚表层的离子迁移到薄膜表面，并且由于温度的升高薄膜有发生石墨化的趋势，从而导致薄膜密度变低，sp3含量降低。