《表3 不同辐照条件下的W-Zr C样品的正电子有效扩散长度》

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《用慢正电子束研究H/He中性束辐照W-ZrC合金中的缺陷演化》

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不同中性束辐照样品中每一层的正电子有效扩散长度如表3所示。由表可知，第1层中的正电子有效扩散长度较其他层的扩散长度小，而第3层中较大，正电子有效扩散长度在一定程度上反映了样品中缺陷的分布情况。一般来讲，空位型缺陷损伤浓度和体积越小，正电子有效扩散长度越大，反之，正电子有效扩散长度越小。纯H中性束辐照条件下，No.2样品在第3层中的正电子有效扩散长度大于No.1样品的正电子有效扩散长度。H+6%He中性束辐照模式下，No.3样品和No.4样品第3层中的正电子有效扩散长度相差不大；No.3样品在第2层中的正电子有效扩散长度大于No.4样品在第2层中的正电子有效扩散长度。No.1、No.3和No.4样品第3层拟合的S值约为0.42，这表明正电子探测到了样品的体层区域，VEPFIT拟合结果较为合理。No.2样品之所以在第3层拟合的S值约为0.41，小于样品体层区域的S值，很可能是由于少量H对样品中空位的填充，导致注入的正电子与芯电子发生湮没的概率增大，引起S参数相对于体层区域较小。