《表2 单元库中普通DFF与DICE加固DFF性能比较Tab.2 Comparison of performance between the typical DFF and DICE hardened
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《基于130 nm PD-SOI工艺存储单元电路的抗辐射加固设计》
表2为单元库中寄存器单元的性能比较。由于DICE加固是一种空间冗余方法,使用的SOI MOS晶体管比普通寄存器单元多,因此在面积以及延迟方面比普通的寄存器单元大,但是在建立时间、上升和下降时间比未加固的寄存器单元要小,加固单元主要用于抗辐射芯片设计,因此综合考虑性能、面积以及抗辐射效果,这种加固的方案是可行的。
图表编号 | XD00188428800 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2018.05.03 |
作者 | 张宇飞、余超、常永伟、单毅、董业民 |
绘制单位 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所、中国科学院大学、中国科学院上海微系统与信息技术研究所、中国科学院大学、中国科学院上海微系统与信息技术研究所、中国科学院上海微系统与信息技术研究所、中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
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