《表2 单元库中普通DFF与DICE加固DFF性能比较Tab.2 Comparison of performance between the typical DFF and DICE hardened

《表2 单元库中普通DFF与DICE加固DFF性能比较Tab.2 Comparison of performance between the typical DFF and DICE hardened   提示:宽带有限、当前游客访问压缩模式
本系列图表出处文件名:随高清版一同展现
《基于130 nm PD-SOI工艺存储单元电路的抗辐射加固设计》


  1. 获取 高清版本忘记账户?点击这里登录
  1. 下载图表忘记账户?点击这里登录

表2为单元库中寄存器单元的性能比较。由于DICE加固是一种空间冗余方法,使用的SOI MOS晶体管比普通寄存器单元多,因此在面积以及延迟方面比普通的寄存器单元大,但是在建立时间、上升和下降时间比未加固的寄存器单元要小,加固单元主要用于抗辐射芯片设计,因此综合考虑性能、面积以及抗辐射效果,这种加固的方案是可行的。