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第一部分集成电路的版图1

第一章 集成电路的版图及其生成1

目录1

1.1本书的版图描述2

1.1.1点的描述2

1.1.2版图描述4

1.1.3各层的简单观察4

1.1.4复合版图5

1.1.5版图变量和位移5

1.2考虑NMOS介体6

1.2.2基色及它们间的相互作用7

1.2.3最小尺寸和最小间距7

1.2.1单位和简单设计规则7

1.2.4设计规则在硅编译方面的微小作用8

1.2.5硅领域中另外的能力9

1.2.6更简明的表示法和程序设计语言10

1.3基本组件:一种硅机器语言11

1.3.1反相器11

1.3.2一个反相器的电特性12

1.3.3反相器的版图14

1.3.4反相器的变种:NAND门17

1.3.5反相器的另一变种:NOR门20

1.3.6 NAND门与NOR门的比较21

1.3.7从冠军NOR门到可编程序逻辑阵列22

1.4象晶体那样形成的版图的效率24

1.4.1连线情况26

1.4.3可编程序逻辑阵列的核心:可编程序NOR平面27

1.4.2多重晶体27

第二章 版图的表现与分析和其它信息35

2.1计算的三个R35

2.1.1表现的作用36

2.1.2什么是一个好的表现?36

2.1.3综合的表达式与表现相分离37

2.1.4一种推荐的版图表现37

2.1.5版图描述和表现之间的差别38

2.1.6检查表现的实体38

2.2.1表现的阐明:数据类型和实体39

2.2.2主要的五种数据类型39

2.2数据类型:表现的核心39

2.2.3数据类型结构1:串(Strings),数组(Arrays),表(Lists)43

2.2.4数据类型结构2:记录或笛卡儿积46

2.2.5关于BOX和POLYGON以及表现的作用的进一步说明49

2.2.6版图最小边界框(MBB)的作用50

2.2.7多边形的MBB与框的集合51

2.2.8嵌套类型表达式:多笔绘图仪的一个例子56

2.3版图类型和可变类型59

2.3.1类型结构3:变量,一种必要的不确定性59

2.3.2 LAYOUT类型63

2.3.3版图分析示例65

2.4版图的一般取向69

2.4.1 类型LAYOUT的修改及其适应矩阵的有关函数73

2.5.1适应更多的绘图仪和集成电路制造77

2.5过程类型和广义绘图77

2.5.2类型结构符4:过程或者动词78

2.5.3普遍化的PLOT过程82

2.5.4版图制造83

2.6版图的其它表现87

2.6.1线性表现的巨大耗费88

2.6.2执行时间的耗费88

2.6.3存储空间的耗费89

2.6.4存储空间共享和版图的规则性89

2.6.5数据共享的例子:4K RAM89

2.6.6数据共享和分析的耗费91

2.6.7时间领域的数据共享92

2.6.8将MBB计算从分析转变为综合92

2.6.9磁盘使用:引入LAYOUT的\SWAPPABLE操作符98

2.6.10线性表现与递归表现的比较101

2.7交互式的图形:关于版图分析的更多的例子102

2.7.1交互式图形编辑器概述102

2.7.2目标的初始建立102

2.7.3审视参数及其规定104

2.7.4选择过程108

2.7.5修改操作符116

2.7.6不断提供给用户信息117

2.7.7在交互式图形中的颜色118

2.7.8“线”多边形的一个简便的规定118

2.7.9交互式图形之优劣122

3.1同步逻辑的概述和基本语义学126

第三章 同步逻辑语言:一种行为描述126

第二部分集成电路的行为126

3.1.1二类方程式:“=”与“=next”的比较130

3.1.2计算中的时域提供了矛盾的容限131

3.1.3毛刺:竞态或矛盾的微妙形式132

3.1.4“=next”方程式是如何抑制竞态条件和毛刺的134

3.1.5硅中单元存储器的实现136

3.2使同步逻辑语言形式化138

3.2.1同步逻辑的数据类型和操作符139

3.2.2数据类型SIGNAL141

3.2.3目标与源数据的比较:ICL中的“@”操作符142

3.2.4对SIGNAL的操作149

3.2.5关于SIGNAL_EXPR和EQUATION的操作151

3.3同步逻辑模拟152

3.3.1 EQUATION和求值的次序153

3.3.2 SIMULATE过程161

3.3.3为SIMULATE规定INPUT、OUTPUT和DONE参数163

3.3.4小结169

第四章 用可编程序逻辑阵列实现同步逻辑170

4.1 SIGNAL_EXPR的分离形式170

4.1.1利用NOR_PLANE和反相器实现DF172

4.1.2从SIGNAL_EXPR到分离形式的翻译174

4.1.3一个宽松的结尾:在DF_EXPR和SIGNAL_EXPR中表示TRUE179

4.1.4一种可能的不需代价的优化方法181

4.2从EQUATIONS到PLA_LOGIC182

4.2.1翻译184

4.2.2符号的和工作的PLA187

4.2.3更仔细地考察工作的PLA188

4.2.4嗣后内容简介192

第五章 经过组织的同步逻辑194

5.1组织了的、或层次式的功能描述194

5.1.1同步逻辑的组织化的描述:LOGIC_CELL195

5.2所有的LOGIC_CELL符号,类型NAME和链操作符200

5.2.1类型NAME和名称的形成200

5.2.2利用NAME从LOGIC_CELL提取接口信号201

5.2.3链或阵列操作符202

5.2.4 NAME和子LOGIC_CELL203

5.2.5对于完全LOGIC_CELL描述语言所必要的细小语法规则204

5.3一个完好的LOGIC_CELL的必要和充分条件212

5.3.1关于LOGIC_CELL完好性的另一个条件215

5.3.2朝着从LOGIC_CELL到版图的翻译224

第三部分硅编译225

第六章 版图和逻辑之间的结合225

6.1版图CELL:规约和表现226

6.1.1 PORT数据类型227

6.1.2版图CELL数据类型228

6.1.3规约1和2:端口排序229

6.1.4规约3:内部的端口229

6.1.5例子230

6.1.6 CELL的基本代数240

6.1.7更仔细地看一下规约243

6.1.8用于我们编译器的CELL规约246

6.2“单边”单元的聚合248

6.2.1颜色变化249

6.2.2关于端口的应用操作符250

6.2.3封闭电源251

6.2.4 CELL集合的布局253

6.2.5完成单边单元的聚合255

6.2.6从LOGIC-CELL到版图CELL的翻译264

6.2.7例:计数器的一个十分递归的实现265

6.3硅汇编程序和可工作PLA的概述267

6.3.1细小单元269

6.3.2细小单元的规约270

6.3.3“微型”(micro)布线:单元对接和\TOWER操作符270

6.3.4关于单元的垂直列的策略272

6.3.5影响SIGNAL的一个强有力的聚合操作符273

6.3.6灵活的NOR门单元的高层次描述274

6.3.7电源布线275

6.3.8“硅震动”(silicon Quakes),应力和故障线277

6.3.9 PLA的结构284

6.3.10二维的硬化286

第七章 重新组织的逻辑及其对版图的影响291

7.1 LOGIC_CELL最优化:消除“无关紧要”的方程式291

7.1.1逻辑变量的处理:INDIRECT和\FRESH292

7.1.2设置一个SIGNAL的INDIRECT字段294

7.1.3从一个LOGIC_CELL消除无关紧要的方程式295

7.2接口考虑:在\FRESH中的\STANDARDIZE操作符301

7.2.1另一种最优化:\MINIMIZE_OUTPUTS305

7.2.2另一个最优化:消除不为时钟控制的方程式308

7.3层次式编辑操作313

7.3.1基本的编辑操作符313

7.3.2\PURE_CLOCK操作符的作用319

7.3.3电性能和\PURE_CLOCK操作符322

7.4编辑操作应用的局部化324

7.4.1例:编辑弱光器LOGIC_CELL334

第八章 更紧密的单元聚合:四边单元346

8.1 为什么还要考虑四边单元:互连的动力学347

8.2 四边单元的规约和“顶角”(corners)的引入348

8.2.1关于所有单元聚合的一般策略349

8.2.2顶角:通信需要的一种表现352

8.3四边单元聚合的总的程序结构354

8.3.1ABUT操作符;最低级的聚合操作符355

8.3.2与ROUTE一起应用ABUT以获得\PACK的效果357

8.4 ROUTE操作符358

8.4.1 ROUTE的扫描线的实现361

8.4.2完全互连的保证367

8.5 CONS:单元对的完全聚合368

8.5.1 CONS有若干选择369

8.5.2 CONS的两个作用371

8.5.3 CONS读入四个参数371

8.6 CELL4:在四边单元中的LOGIC_CELL的实现373

8.7满足最后一组外部需要377

8.8通过引入压焊块的最后完成380

9.1 电阻、电容和时间385

第九章 电学模型385

9.1.1 一个语义的类型区别:PRIVATE类型结构387

9.1.2类型TIME389

9.2电岛的模型:类型LOAD390

9.2.1 电岛的简化模型391

9.2.2每个LOAD造成一个延迟时间393

9.2.3将LOAD连接在一起394

9.3逻辑的依赖关系:类型NODE397

9.3.1将电学模型结合到版图CELL类型399

9.3.2CELL对接过程404

9.4时钟模型419

9.4.1时钟“人为地”依赖于别的信号420

9.4.2 CELL中的时钟423

9.5.1连接相应的PORT425

9.5对接过程使得电学模型扩展425

9.5.2连接时钟426

9.5.3由于对接而隔离的NODE426

9.5.4 ABUT中的最后步骤428

9.6递归的电性能上的简化429

9.6.1在DEPENDENCIES上的\FRESH发生的简化430

9.6.2完全多数的依赖关系\FRESH操作符和压缩433

9.6.3还有一个细节:关于CLOCKS的\COMPACT435

9.6.4简化的完整性436

9.6.5报告一个芯片的电性能441

9.6.6一些结果445

后记447

参考文献450

1991《超大规模集成电路《硅编译和芯片自动设计技术》》由于是年代较久的资料都绝版了,几乎不可能购买到实物。如果大家为了学习确实需要,可向博主求助其电子版PDF文件(由(美)艾尔斯(Ayres,R.F.)著;解志华译 1991 北京:电子工业出版社 出版的版本) 。对合法合规的求助,我会当即受理并将下载地址发送给你。