《表1 花生发芽过程中胚轴长度的变化》

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《高压静电场预处理对花生芽活性物质及抗氧化能力的影响》

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注：同列肩标小写字母不同表示存在显著差异（P<0.05）。下同。

由表1可以看出，花生芽在生长过程中，随着发芽时间的延长胚轴长度逐渐增加；前3 d胚轴生长较为缓慢，从第3天起生长迅速，胚轴长度呈明显增长趋势。不同电场强度对花生芽的生长影响不同，发芽至第7天时，电场强度为250、300 kV/m的处理组胚轴长度略高于对照组，但差异不显著；400 kV/m HVEF处理对花生芽生长的促进作用最大，第7天时胚轴长10.19 cm，显著高于对照组（9.14 cm），提升11.49%。当电场强度达到450 kV/m时，胚轴长度较对照组有所下降，原因可能是HVEF处理具有临界效应，当电场强度超过其阈值范围则会对生长产生不利影响[19]。