《表1 使用单层EMA模型拟合的椭偏光谱 (SE) 结果》

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《n型单晶硅太阳电池中硼离子注入发射极特性研究》

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晶体硅、非晶硅、未退火及不同温度退火样品进行椭偏光谱测试得到的结果如图3所示。从图中可看出对于未退火、950℃退火和1050℃退火的样品，其n、k曲线（n为折射率，k为消光系数）随退火温度升高由非晶硅曲线向晶体硅曲线靠近。这说明在硅表面发射极部分存在明显晶格损伤，并随着退火温度的升高而逐步恢复[15]。其中J0e最低的1050℃退火样品其n、k曲线与晶体硅的曲线仍然有一定差距，说明晶格损伤依然存在。在样品拟合分析中，有学者建立了极为复杂的半高斯损伤深度分布模型，拟合出离子注入缺陷随深度的分布[16]。本文仅使用非晶硅与晶体硅混合的单层EMA（等效介质）模型进行分析，通过此模型拟合得到损伤层的等效厚度和晶格完整度，拟合结果见表1。可看到，10 keV能量注入的B发射极损伤层厚度未退火时约为11 nm，随着热处理的引入及退火温度的升高，损伤层厚度由11 nm减至4 nm，同时晶格完整度由63.7%升至76.6%。这说明离子注入造成的晶格损伤随退火温度升高而得到修复，但即使在1050℃高温退火后，晶格损伤仍未得到完全消除。