《表1 单层GaSe、In Se和Ga In Se2的原子结构、能带带隙和功函数、以及Ga和In原子上的电荷转移》

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《单层Janus材料GaInSe_2的电子结构第一原理计算》

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单层Ga Se、In Se和Ga InSe2的电子能带结构计算结果如所示。由图3a～图3c可见，这些单层结构都是类似的间接带隙半导体，价带顶（VBM）和导带底（CBM）分别位于Brillouin区K～G之间和G点，带隙宽度分别为1.81、1.42和1.36 eV。Ga Se，In Se和Ga InSe2的功函数分别为5.75、5.89和5.87 eV，因此在Ga InSe2的功函数在Ga一侧较大，而在In一侧较小。所有的单层Ga Se和In Se的结构和电子特性总结在表1中，便于与Ga InSe2进行比较。单层Ga InSe2的带隙宽度小于其Ga Se和In Se，这是由于Janus结构中二元类似物的拉伸和应变。以单层Ga InSe2的Janus结构晶格常数作为参考，根据单层Ga Se和InSe的晶格常数计算应变值的百分比：在单层Ga InSe2形成时，Ga受到了3.27%的拉应变，In受到了3.02%的压应变。