《表3 In Ga N和Al Ga N合金中的4种不同构型对总能、价带、带隙、弯曲系数、体积的影响Tab.3 Effect of the four structures on total energy

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《"不同构型(In,Al)GaN合金发光机理的第一性原理研究"》

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我们对（In，Al）Ga N合金中4种不同构型的总能、价带、带隙、弯曲系数、体积影响进行了计算。如表3所示，4种构型的合金中均匀模型的总能最低，我们记为0 e V，其他值为相对均匀模型的总能差。结果表明，在In Ga N合金中，均匀模型的总能最低，小In-N团簇的总能最高，差值为2.25 e V。可以与N空位的缺陷形成能相比拟，同时低于在In N合金中的In空位的缺陷形成能[29]。但是我们从实验上可以知道，尽管In空位具有较大的缺陷形成能，但它仍能高浓度地存在于In N合金中。在Al Ga N合金中，均匀模型的总能最低，小Al-N团簇与短Al-N-链共存模型的总能最高，其差值为1.82 e V。同样，可以与N空位的缺陷形成能相比拟，同时低于在Al N合金中的Al空位的缺陷形成能[30]。由此，我们可以确信小In（Al）-N团簇与短In（Al）-N-链是可以大量存在于（In，Al）Ga N合金中。