《表1 MEMS材料的力学性能》

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《基于动力学校对的三明治薄膜芯片设计制造》

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式中αf为膜的热膨胀系数，αs为衬底的热膨胀系数，ΔT为沉积温度与室温之差。σf<αs，预计会产生压应力，如果σf>αs，则会出现张应力。本文沉积温度为800℃，室温27℃。Si N，Si O均为各向同性材料，其力学性能参数如表1所示。