《表1 不同封装电容参数》
不同封装的电容器有不同的谐振频率,表1、表2列出了不同封装下电容参数以及同一封装下电容的谐振频率.选用0805-1μF、0603-0.1μF及0402-0.01μF的电容并联,所得频率—阻抗曲线如图5(b)所示.采用以上电容并联后,可以得到一个较宽的低阻抗频带,4.224~58.746 MHz,阻抗维持在23.318~61.340 mΩ,达到了展宽低阻抗频带的目的[7].因此,在采用不同的封装和容值的电容并联后,可以展宽低阻抗频带.在高速电路设计中,噪声等相关的干扰往往不是处在一个频点上,而是占据一段频带.在实际的高速电路设计中,期望准确的定位电路上的每一处的噪声频带很不现实,通过将多种不同封装、不同容值的电容并联可得到一个比较宽的低阻抗频带,从而尽可能的覆盖电路设计中的噪声频带.
图表编号 | XD003473600 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2018.08.01 |
作者 | 杨正、阚宏伟、刘铁军、张闯 |
绘制单位 | 浪潮集团有限公司体系结构研究部、浪潮集团有限公司高效能服务器和存储技术国家重点实验室、浪潮集团有限公司体系结构研究部、浪潮集团有限公司体系结构研究部、浪潮集团有限公司体系结构研究部 |
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