《表2 银粉A制成的30组电极封装成电容器测试结果》
对每种银粉制成的电极银浆封装成30组电容器后进行电容测试,测试结果见表2。从4组测试结果可以看出,采用银粉A、D制成的电极封装成的电容器相比与采用银粉B、C制成的电极封装成的电容器电容量大,电容损耗小。这是因为B、C两种银粉所制得的电极银浆烧结后表面不致密,银浆与陶瓷基片的连接不紧密,电极存在薄弱的地方,导致电流分布不均匀,对于电容量与电容损耗有很大的影响。而A、D两种银粉所制得的电极银浆烧结后表面致密,增大了银粉之间的有效接触面积,形成了更致密的导电网络,使导电能力增强[17],在电极印刷面积相同时,银浆与陶瓷基片的连接更紧密,由式(1)可知,介电常数与电介质厚度相同,当电极的有效面积更大时,其电容器的电容量更大。从表2和表5可以看到,对比银粉A和D,银粉D制成的电极性能要优于银粉A制成的电极。这是因为银粉D具有更高比表面积,表面能更大,烧结活性更高,烧结后银浆膜致密,与陶瓷基片连接紧密,所以说明采用高比表面积的银粉制成银电极封装而成的电容器具有更好的性能。同时,在进行电容测试过程中发现,采用银粉A制成的电极封装成的电容器击穿电压更低,最小值仅为5.75V。这是因为在银粉A制成的电极银浆表面由于银粉颗粒重结晶或不完全烧结而有凸起的现象。通电后,电压会集中到凸起位置,导致电介质被击穿。
图表编号 | XD00113289600 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.10.25 |
作者 | 谷天鹏、甘国友、余向磊、赵汝云、李文琳、李俊鹏 |
绘制单位 | 昆明理工大学材料科学与工程学院、昆明贵金属研究所稀贵金属综合利用新技术国家重点实验室、昆明理工大学材料科学与工程学院、昆明理工大学材料科学与工程学院、昆明贵金属研究所稀贵金属综合利用新技术国家重点实验室、昆明贵金属研究所稀贵金属综合利用新技术国家重点实验室、昆明贵金属研究所稀贵金属综合利用新技术国家重点实验室 |
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