《电子工业生产技术手册 2 电子元件卷》求取 ⇩

目录1

第9篇 电子陶瓷材料及器件1

1.1 电子陶瓷材料的类别3

第1章 电子陶瓷材料及器件的应用与发展3

1.3.1 电子陶瓷材料展望6

1.3 电子陶瓷材料及器件展望6

1.2 电子陶瓷材料的组成和组织结构6

1.3.2 电子陶瓷元器件的发展7

2.1.3 长石8

2.1.2 石英8

第2章 电子陶瓷原材料及配方8

2.1 电子陶瓷用矿物原材料8

2.1.1 菱镁矿8

2.1.7 粘土9

2.1.6 滑石9

2.1.4 方解石9

2.1.5 萤石9

2.2.1 二氧化钛10

2.2 电子陶瓷用化工材料10

2.2.3 氧化镧11

2.2.2 二氧化锆11

2.2.6 五氧化二铌12

2.2.5 二氧化锡12

2.2.4 氧化铝12

2.2.9 碳酸钙13

2.2.8 三氧化二铋13

2.2.7 氧化铅13

2.3.1 电阻基体用陶瓷14

2.3 装置瓷组成与性能14

2.2.10 碳酸锶14

2.2.11 碳酸钡14

2.3.2 氧化铝瓷15

2.3.3 高导热系数陶瓷16

2.3.5 滑石类低介瓷18

2.3.4 氮化硅瓷18

2.4.2 金红石瓷（TiO2）19

2.4.1 一些金属氧化物及其盐类19

2.4 电容器介质陶瓷19

2.4.6 硅钛钙系瓷20

2.4.5 钛酸镁－钛酸钙瓷20

2.4.3 钛酸钙瓷20

2.4.4 钛酸镁瓷（MgTiO3）20

2.4.7 镁镧钛系瓷21

2.4.8 钛酸镍－二氧化钛瓷22

2.4.10 铌酸钙瓷23

2.4.9 氧化锆－氧化钛系瓷23

2.4.13 锆酸钙－钛酸钙系瓷24

2.4.12 钛酸钡－钛酸铋（镧、铈）瓷24

2.4.11 钛酸钙－钛酸锶－钛酸铋瓷24

2.4.16 锡酸钙－钛酸钙瓷25

2.4.15 锆酸锶－钛酸钙瓷25

2.4.14 锆酸钙－铌酸钙－钛酸钙（钛酸锶）系瓷25

2.4.17 钡钛钕系瓷26

2.5.2 钛酸钡－锡酸盐系瓷27

2.5.1 钛酸钡－钛酸盐瓷27

2.4.18 微波陶瓷27

2.5 高介铁电瓷27

2.5.4 钛酸钡－多种盐系瓷28

2.5.3 钛酸钡－锆酸盐系瓷28

2.6.2 铌铋镁系瓷（MgO-Bi2O3-Nb2O5）29

2.6.1 铌铋锌系瓷（ZnO-Bi2O3-Nb2O5）29

2.6 低温烧结独石电容器瓷29

2.6.5 铌镁酸铅－铌铁酸铅系瓷30

2.6.4 钨镁酸铅-钨镉酸铅系瓷30

2.6.3 钨镁酸铅系瓷〔Pb（Mg1/2W1/2）O3〕30

2.8 边界层陶瓷介质（BL介质）31

2.7 电容器介质用微晶玻璃31

2.9 压电陶瓷材料33

2.10电致伸缩陶瓷材料35

3.1.1 矿物和化工原料的制备36

3.1 陶瓷坯料的制备36

第3章 瓷件制造方法36

3.1.2 烧块的合成38

3.1.3 坯料的细磨39

3.1.4 除铁、过筛、搅拌、压滤、干燥42

3.1.5 陶瓷粉料特性44

3.2 坯件成型45

3.2.1 挤压成型47

3.2.2 注塑成型50

3.2.3 旋坯成型和整挤一次成型51

3.2.5 轧膜成型56

3.2.6 挤膜成型59

3.2.7 流延成型62

3.2.4 注浆成型63

3.2.9 热压铸成型68

3.2.8 陶瓷薄膜的其它成型方法68

3.2.10 干压成型73

3.2.11 静水压成型工艺74

3.2.12 干坯加工成型76

3.3.1 陶瓷坯件的干燥过程81

3.3 陶瓷坯件的干燥81

3.3.2 影响干燥速度的因素及干燥规范82

3.3.4 干燥缺陷及产生原因83

3.3.3 坯件干燥法83

3.4.1 烧成过程及影响因素85

3.4 陶瓷烧成85

3.4.2 烧成用设备及仪表94

3.4.3 常规烧成工艺97

3.4.4 热压烧结99

3.4.5 等静热压烧结103

3.4.6 气氛烧结法105

3.5.1 研磨加工107

3.5 陶瓷烧后加工107

3.5.2 超声波加工112

3.5.3 激光加工114

3.5.5 电解加热加工116

3.5.4 放电加工116

3.5.6 电子束加工117

4.1.1 烧渗法119

4.1 金属化工艺119

第4章 器件制造方法119

4.1.2 化学沉积法122

4.2.2 结构陶瓷零件制造中应注意事项125

4.2.1 结构陶瓷零件的种类及用途125

4.2 结构陶瓷零件的制造125

4.3.1 固定陶瓷电容器的制造127

4.3 陶瓷电容器的制造127

4.3.2 半导体陶瓷电容器的制造130

4.3.3 独石电容器的制造141

4.3.4 微调电容器的制造149

4.4.1 压电陶瓷谐振子的制造153

4.4 压电陶瓷滤波器的制造153

4.4.2 压电陶瓷滤波器的制造160

4.5.1 压电陶瓷换能器的类别171

4.5 压电陶瓷换能器171

4.5.2 其它元器件173

5.1.1 物理参数179

5.1 陶瓷材料性能参数的测量179

第5章 参数测量179

5.1.2 电气参数182

5.1.3 压电与铁电参数186

5.1.4 热学参数193

5.1.5 化学性能195

5.1.6 热电性能196

5.2.1 陶瓷电容器的参数198

5.2 元器件性能参数的测量198

5.2.2 陶瓷滤波器的性能199

5.2.3 压电陶瓷换能器的性能202

6.1.1 冰冻干燥法203

6.1 超细粉末203

第6章 新技术203

6.1.2 溶剂法204

6.2 多孔技术205

6.1.4 气相沉积法205

6.1.3 水热法205

6.2.2 多孔结构206

6.2.1 造孔方法206

6.2.3 多孔结构的控制207

6.3.1 拓扑反应织构化208

6.3 织构技术208

6.3.2 热加工织构化209

6.3.3 定向生长织构化210

6.4 复合技术211

6.4.1 陶瓷－陶瓷复合212

6.4.2 陶瓷－聚合物复合213

6.4.4 陶瓷－金属复合214

6.4.3 陶瓷－玻璃复合214

6.5.2 材料设计原则215

6.5.1 材料设计程序215

6.5 材料设计215

6.5.3 材料设计方法216

1.1.2 工艺流程221

1.1.1 永磁铁氧体的一般特性221

第10篇 磁性材料及器件221

第1章 永磁材料及磁路221

1.1 铁氧体永磁材料221

1.1.3 制备工艺224

1.1.4 利用拓扑反应制备永磁铁氧体231

1.1.6 非磁场取向制备各向异性永磁铁氧体232

1.1.5 钙铁氧体232

1.1.7 永磁铁氧体发展趋势简介233

1.2.1 各种金属永磁材料的特性235

1.2 金属永磁材料235

1.2.2 脆性永磁体工艺236

1.2.3 韧性永磁体工艺239

1.2.4 稀土永磁体工艺241

1.2.5 永磁体加工244

1.3.1 塑性粘结永磁性能245

1.3 塑性粘结永磁体245

1.2.6 金属永磁的发展趋势245

1.3.2 塑性粘结永磁工艺246

1.3.3 塑性粘结永磁的发展248

1.4 永磁体的稳定化处理249

1.5.3 面极式和隐极式251

1.5.2 径向磁化和轴向磁化251

1.5 永磁回路的基本类型251

1.5.1 串联磁路和并联磁路251

1.5.5 整体式和拼块式252

1.5.4 内磁式与外磁式252

1.5.6 简单磁路和复合磁路253

第2章 软磁材料及磁芯254

2.1 软磁铁氧体制造工艺255

2.1.1 主要软磁铁氧体材料的配方及性能256

2.1.2 氧化物工艺的粉料制备258

2.1.3 共沉工艺的粉料制备259

2.1.4 预烧260

2.1.5 球磨262

2.1.6 造粒263

2.1.7 成型264

2.1.8 烧结266

2.1.9 铁氧体的磨加工271

2.2 软磁铁氧体生产线介绍272

2.2.2 各工序的质量检测276

2.2.1 工艺流程及说明276

2.3.1 纯铁277

2.3 金属软磁材料制造工艺277

2.3.2 硅钢片278

2.3.3 铁镍合金279

2.5 磁介质生产工艺283

2.4.2 热处理283

2.4 非晶金属软磁材料的制造工艺283

2.4.1 母合金的制作283

2.6 磁芯284

2.7 磁性液体285

2.7.3 组成286

2.7.2 应用286

2.7.1 理化特性286

2.7.4 制备工艺287

2.8 发展趋势290

第3章 磁记录材料、介质及器件291

3.1.2 磁带292

3.1.1 磁记录介质的一般要求292

3.1 磁记录介质292

3.1.4 磁鼓294

3.1.3 磁盘294

3.2 磁记录介质材料（磁粉）295

3.1.5 磁性卡片295

3.2.1 磁粉的一般要求296

3.2.2 γ-Fe2O3297

3.2.3 包钴的γ-Fe2O3299

3.2.4 CrO2300

3.2.6 金属合金微粉301

3.2.5 BaFe12O19和SrFe12O19301

3.2.7 磁粉的检测302

3.3.1 涂布型磁带的制备工艺304

3.3 涂布型磁记录介质的制备工艺304

3.3.2 涂布型磁盘的制备工艺309

3.4 连续薄膜型磁记录介质的制备工艺313

3.4.1 Co-γ-Fe2O3薄膜介质314

3.4.2 用电镀法和化学镀法制备钴系合金薄膜介质315

3.4.3 真空蒸镀的金属薄膜磁带317

3.5 磁头318

3.5.1 磁头的分类及基本结构319

3.5.2 磁头的设计323

3.5.3 磁头的制造工艺324

3.5.4 磁头的检测327

3.6.2 磁头材料的特性329

3.6.1 磁头材料的一般要求329

3.6 磁头材料329

3.6.3 磁头材料的制备工艺330

3.7 磁记录的发展趋势333

3.6.4 磁头材料的检测333

第4章 磁存储材料及器件336

4.1.1 矩磁磁芯制备工艺337

4.1 矩磁铁氧体磁芯337

4.2 磁泡材料339

4.1.2 质量检验339

4.2.1 GGG晶体生长340

4.2.2 晶体加工344

4.2.3 液相外延（LPE）膜制备345

4.2.4 离子注入抑制硬泡349

4.3.1 测量内容及方法350

4.3 磁泡材料测量350

4.3.2 测量技术351

4.4 磁泡存储器件354

4.4.2 芯片制备357

4.4.1 芯片设计357

4.4.3 器件封装358

4.4.4 器件测量359

5.1.1 多晶石榴石铁氧体364

5.1 微波多晶铁氧体材料364

第5章 微波铁氧体材料及器件364

5.1.2 尖晶石铁氧体367

5.1.3 磁铅石铁氧体368

5.1.4 微波多晶铁氧体的制备工艺369

5.2.1 微波单晶铁氧体的特性372

5.2 微波单晶铁氧体材料372

5.2.2 单晶铁氧体的生长方法373

5.3.2 球形样品加工381

5.3.1 片状、棒状样品加工381

5.3 晶体的加工381

5.4.1 隔离器384

5.4 微波多晶铁氧体器件384

5.4.2 微波铁氧体移相器387

5.4.3 带线结环行器391

5.4.4 微带环行器396

5.4.5 集总元件环行器398

5.4.6 铁氧体开关400

5.4.7 微波高功率器件402

5.4.8 微波多晶铁氧体器件测量404

5.5.1 旋磁单晶振子407

5.5 微波单晶铁氧体器件407

5.5.2 旋磁调谐滤波器411

5.5.3 旋磁调谐振荡器419

5.5.4 微波铁氧体器件的发展424

6.1.1 饱和磁化强度Ms428

6.1 基本磁性参量的测量428

第6章 磁测量技术428

6.1.2 居里温度431

6.1.3 磁各向异性常数432

6.1.4 磁致伸缩434

6.1.5 直流电阻率435

6.2.1 试样准备436

6.2 软磁参数的测量436

6.2.2 初始磁化曲线和饱和磁滞回线437

6.2.3 交变磁场下软磁参量的测量441

6.2.4 脉冲状态下的磁特性451

6.3.1 开关时间τs和开关系数Sw的测量454

6.3 矩磁参数测量454

6.3.2 感应信号与抗打扰性能的测量455

6.3.3 主要测量仪器和测量条件456

6.4.1 磁化装置和对试样的要求457

6.4 永磁参量的测量457

6.4.2 磁通量密度与磁场强度的测量458

6.4.3 退磁曲线的测量459

6.4.5 回复线和回复磁导率的测量461

6.4.4 最大磁能积(BH)max的确定461

6.4.6 高矫顽力永磁材料的磁化与测量462

6.5 旋磁参数测量463

6.5.1 铁磁共振线宽△H和有效g因子的测量464

6.5.2 自旋波共振线宽△Hk的测量467

6.5.3 有效线宽△Heff的测量470

6.5.4 复介电常数εr的测量473

1.1 对声表面波材料的基本要求479

第1章 声表面波器件用的压电材料479

第11篇 声表面波与声光材料及器件479

1.2.2 铌酸锂480

1.2.1 水晶480

1.2 压电晶体的性能480

1.2.3 钽酸锂483

1.2.4 锗酸铋485

1.3.1 提拉法生长铌酸锂、钽酸锂、锗酸铋的工艺条件及设备486

1.3 压电晶体的生长（提拉法）486

1.3.2 配料488

1.3.3 拉晶490

1.3.4 晶体退火491

1.3.5 铁电晶体的极化492

1.4.1 晶体定向494

1.4 压电晶体的加工494

1.4.2 晶体切割500

1.4.3 晶体的研磨和抛光503

1.5.1 压电薄膜材料504

1.5 无机压电薄膜504

1.5.2 压电薄膜制备509

1.5.3 压电薄膜特性及测量512

1.6 声表面波用压电陶瓷材料515

1.5.4 薄膜厚度测量及监控515

2.1 声表面波器件的特点518

第2章 声表面波器件的制造技术518

2.3.1 具有对称通带的声表面波带通滤波器的设计计算519

2.3 声表面波器件的设计计算519

2.2 声表面波器件制造的基本工艺流程及特点519

2.2.1 基本工艺流程519

2.2.2 工艺特点519

2.3.2 具有非对称通带的声表面波带通滤波器的设计计算522

2.4.1 光掩模版制备523

2.4 声表面波器件的主要工艺523

2.4.2 基片清洗及真空镀膜526

2.4.3 光刻528

2.4.4 引线焊接及器件封装530

2.5.1 离子束刻蚀技术的用途531

2.5 离子束刻蚀技术531

2.5.3 沟槽反射栅阵刻蚀工艺532

2.5.2 离子束刻蚀设备532

2.6.1 频率修正原理534

2.6 等离子体频率修正刻蚀534

2.5.4 刻蚀深度加权程序534

2.6.3 频率修正刻蚀工艺536

2..6.2 等离子体频率修正刻蚀设备536

3.1.1 幅频特性测试539

3.1 声表面波滤波器主要电性能参数测试539

第3章 声表面波器件电性能参数测试539

3.1.2 时域特性测试542

3.1.3 阻抗测试543

3.2.2 延迟时间测试544

3.2.1 中心频率、3dB带宽和插入损耗测试544

3.2 声表面波延迟线主要电性能参数测试544

3.3.1 中心频率和色散带宽测试545

3.3 声表面波色散延迟线主要电性能参数测试545

3.3.3 色散时间测试547

3.3.2 插入损耗测试547

3.3.4 主旁瓣比和—4dB处主瓣宽度测试548

3.4.2 频率温度稳定度测试549

3.4.1 瞬时频率稳定度测试549

3.4 声表面波振荡器性能参数测试549

3.4.4 输出电平和波形测试550

3.4.3 长期频率稳定度测试550

4.1 对声光材料的基本要求552

第4章 声光材料552

4.2 声光材料的种类553

4.3.1 二氧化碲声光单晶材料554

4.3 声光晶体材料554

4.3.2 钼酸铅声光单晶材料558

4.4 声光玻璃材料561

5.1.3 晶体的清洗563

5.1.2 对晶体加工要求563

第5章 声光器件的制造技术及其性能参数测试563

5.1 声光器件的制造563

5.1.1 声光器件制造工艺流程563

5.1.4 压电换能器的设计564

5.1.5 压电换能器与声光介质的键合方法570

5.1.6 压电换能器厚度减薄方法576

5.1.7 焊接层厚度的监控578

5.2.1 声光调制器579

5.2 声光器件设计579

5.2.2 声光偏转器582

5.2.3 其它声光器件588

5.3.1 声光偏转器主要性能参数测试方法592

5.3 声光器件主要性能参数的测试方法592

5.3.2 声光调制器主要性能参数测试方法594

5.3.3 声光器件静态透过率的测量595

5.3.4 测量误差596

1.1.2 激光工作晶体分类599

1.1.1 对激光工作晶体的要求599

第12篇 激光与红外器件599

第1章 激光晶体599

1.1 激光工作晶体599

1.1.4 主要激光工作晶体激光特性601

1.1.3 主要激光工作晶体物化特性601

1.2.1 主要生长方法分类602

1.2 激光工作晶体生长技术602

1.3.1 生长设备603

1.3 提拉法晶体生长603

1.2.2 激光工作晶体制造总工艺流程603

1.3.2 生长控制方法606

1.3.4 生长工艺608

1.3.3 原料制备608

1.3.6 提拉法晶体生长工艺技术发展612

1.3.5 激光工作晶体提拉法生长工艺参数612

1.4.1 坩埚下降法613

1.4 其他生长方法613

1.4.2 焰熔法615

1.4.3 高温溶液法618

1.5.2 工艺要点620

1.5.1 工艺流程620

1.5 晶体退火与选棒工艺620

1.6.1 晶体光学加工要求624

1.6 晶体光学性能检测624

1.6.2 光学性能检测方法625

1.7.1 测试条件626

1.7 晶体激光性能测试626

1.7.2 激光阈值测量627

1.7.3 单程损耗测量628

1.7.4 斜率效率测量629

1.8 非线性光学晶体630

1.7.5 测量误差630

1.8.1 对非线性光学晶体的要求631

1.8.2 溶液法晶体生长632

1.8.3 DKDP晶体溶液降温法生长工艺635

2.1.2 主要工艺流程638

2.1.1 基本结构638

第2章 固体激光器638

2.1 中小型固体激光器的基本结构及主要工艺流程638

2.2.1 三种主要激光工作物质的性能639

2.2 固体激光工作物质及其加工639

2.2.2 对工作物质几何尺寸的要求641

2.3 泵浦光源642

2.2.3 加封套管642

2.3.3 电极643

2.3.2 生产工艺流程643

2.3.1 惰性气体放电灯的结构643

2.3.4 灯管645

2.3.6 排气、充气646

2.3.5 封接646

2.4.1 转换效率647

2.4 聚光腔647

2.4.2 金属聚光腔648

2.4.3 玻璃聚光腔649

2.5.2 调整架650

2.5.1 底座及支撑件650

2.4.4 其它注意事项650

2.5 机械构件和密封工艺650

2.6 光学元件652

2.5.3 密封652

2.6.2 纵向电场电光Q开关晶本盒653

2.6.1 方解石格兰棱镜偏振镜653

2.6.4 声光Q开关655

2.6.3 横向电场电光Q开关晶体盒655

2.6.5 染料Q开关657

2.7.1 液体冷却659

2.7 冷却659

2.7.2 气体冷却661

2.7.4 半导体冷却662

2.7.3 传导冷却662

2.9.1 尖峰结构663

2.9 输出特性及测量663

2.8 谐振腔的调整663

2.9.3 激光发散角664

2.9.2 激光模式664

2.9.4 发射能量、功率及效率666

2.9.5 激光能量、功率测量669

2.10.1 激光辐射危害672

2.10 激光防护672

2.10.3 防护673

2.10.2 电气危害673

3.1 气体激光器的结构形式674

第3章 气体激光器674

3.3.1 纵向放电型675

3.3 放电型气体激光器放电管的制造675

3.2 制造气体激光器的典型工艺流程675

3.3.2 横向放电型679

3.3.3 波导管型680

3.3.4 电泳型683

3.3.5 空心阴极型684

3.3.6 射频放电型685

3.4.1 内腔式激光器放电管管端研磨686

3.4 放电管的管端研磨686

3.4.2 布儒斯特角窗口的研磨688

3.5.1 全反射镜689

3.5 反射镜加工及其材料的选择689

3.5.3 光栅反射镜690

3.5.2 输出反射镜690

3.6.1 镜片粘结691

3.6 镜片与管体组装691

3.6.3 稳定腔长的措施692

3.6.2 光栅的安装692

3.7.2 气体成分及其比例693

3.7.1 总气压693

3.7 放电管气体参数693

3.8.1 提高氦氖激光器寿命的措施695

3.8 提高气体激光器寿命的工艺措施695

3.8.3 提高CO2激光器寿命的措施697

3.8.2 提高氩离子激光器寿命的措施697

3.9.1 检漏698

3.9 排气和充气698

3.8.4 提高CO激光器寿命的措施698

3.10 气体激光器电源699

3.9.3 充气、装调和封离699

3.9.2 除气和老炼699

3.10.3 脉冲气体激光器电源700

3.10.2 频率稳定的气体激光器电源700

3.10.1 功率稳定的气体激光器电源700

3.11.1 闭合循环气体激光器701

3.11 其他几种气体激光器701

3.11.2 快速脉冲放电气体激光器702

3.11.3 光泵远红外气体激光器704

3.11.5 气动激光器707

3.11.4 光分解气体激光器707

4.1.1 染料激光器特性710

4.1 染料激光器特性及典型工艺流程710

第4章 染料激光器710

4.2 闪光灯泵浦染料激光器711

4.1.2 染料激光器典型工艺流程711

4.2.2 直管闪光灯泵浦染料激光器712

4.2.1 同轴闪光灯泵浦染料激光器712

4.2.4 闪光灯激励电源714

4.2.3 涡流稳定闪光灯泵浦染料激光器714

4.3 激光泵浦染料激光器715

4.3.1 连续波激光泵浦染料激光器716

4.3.2 脉冲激光泵浦染料激光器718

4.5 染料循环冷却与控温系统721

4.4 其他类型的染料激光器721

4.6 激光染料722

4.7 调谐技术723

5.1 探测器种类和特点724

第5章 红外光子探测器724

5.1.3 探测器的特点725

5.1.2 光伏探测器725

5.1.1 光导探测器725

5.2.1 硫化铅探测器726

5.2 薄膜型探测器制造工艺726

5.2.2 硒化铅探测器729

5.3.1 材料参数730

5.3 单晶型探测器材料参数及通用工艺730

5.3.2 通用工艺731

5.4.1 室温光导型732

5.4 锑化铟探测器制造工艺732

5.4.2 77K光伏型733

5.5 碲镉汞探测器制造工艺735

5.5.2 光伏型736

5.5.1 光导型736

5.6.1 碲化铅／碲锡铅液相外延层738

5.6 碲锡铅探测器制造工艺738

5.7.1 探测器参数739

5.7 探测器参数及其测量739

5.6.2 碲锡铅探测器739

5.7.2 探测率（DBB*）的测量741

5.7.3 光谱响应的测量743

5.7.4 响应时间的测量744

5.7.5 伏安特性的测量745

5.7.6 小光点的测量747

5.8 杜瓦瓶结构及制冷器748

5.8.1 杜瓦瓶结构749

5.8.2 探测器用制冷器753

5.9 探测器用前置放大器754

5.10 探测器工艺技术的发展趋势755

6.1 概述757

第6章 热释电探测器757

6.2.1 典型工艺流程及设备要求760

6.2 热释电探测器制作工艺760

6.2.2 硫酸三甘肽及其同晶系探测器761

6.2.3 钽酸锂热释电探测器763

6.3 离子束刻蚀技术在热释电探测器工艺中的应用764

6.2.4 铁电陶瓷热释电探测器764

6.4.2 金黑吸收层工艺766

6.4.1 铂黑吸收层工艺766

6.4 热释电探测器的表面吸收层766

6.4.3 炭黑及涂料767

6.5 热释电组件工艺768

6.5.1 组件工艺流程图768

6.5.2 热释电组件前放线路768

6.6 热释电探测器电参数及其测试769

6.6.1 热释电探测器的主要电参数769

6.6.2 参数测试771

6.7 热释电探测器的发展趋势772

第7章 光学零件镀膜774

7.1 光学薄膜分类774

7.2 淀膜方法774

7.2.1 电阻加热蒸发法774

7.2.2 电子束蒸发法778

7.2.3 其他真空镀膜方法780

7.3 光学薄膜厚度控制方法780

7.3.1 极值法780

7.3.2 波长扫描法782

7.3.3 任意膜层厚度控制法785

7.4 常用光学镀膜材料的特性787

7.5 真空镀膜设备791

7.6 光学零件真空镀膜工艺792

7.6.1 光学镀膜工艺流程792

7.6.2 镀膜前的准备工作793

7.6.3 增透膜镀制工艺794

7.6.4 反光膜镀制工艺797

7.6.5 分光膜镀制工艺799

7.6.6 窄带介质滤光片镀制工艺800

7.7 光学薄膜光学性能测量801

7.7.1 反射率测量801

7.6.7 透明导电膜镀制工艺801

7.7.2 透射率测量803

7.8 膜料的毒性与防护804

7.9.2 离子束辅助镀805

7.9.1 离子镀805

7.9.3 光学薄膜控制805

7.9 光学薄膜工艺发展趋势805

7.9.4 混合膜料的应用806

8.1 晶体定向807

8.1.1 偏光法807

第8章 光学零件加工807

8.1.2 X射线衍射法810

8.2 晶体切割814

8.2.1 外圆切割814

8.2.2 金刚石内圆切割816

8.2.3 超声切割818

8.2.4 水线切割819

8.3 晶体研磨820

8.3.1 磨料820

8.2.5 其它切割方法820

8.3.2 磨盘材料823

8.4 晶体抛光824

8.4.1 工艺要求824

8.3.3 研磨工艺要点824

8.4.2 抛光粉825

8.4.3 抛光模827

8.4.4 抛光方法827

8.5 安全防护828

8.5.1 X射线的防护828

8.5.2 毒性的防护829

附录 常用晶体名称缩写830