《电机工程手册 第7卷 电子元器件 41篇 电子元器件》求取 ⇩

序1

编辑说明1

第41篇电子元器件1

第1章电真空器件1

1 概述 41-1

2 电子管 41-1

2·1收讯放大管 41-1

目录1

1半导体集成电路的结构 42-3

第2章半导体集成电路的3

第1章概 述3

常用符号表3

第42篇集成电路3

1·1双极型集成电路 42-3

结构、设计和制造3

1·2 MOS集成电路 42-6

1·3集成电路的封装外壳 42-7

2集成电路的设计要点 42-7

2·1电路模拟设计要点 42-7

2·2工艺设计要点 42-7

2·2发射管 41-8

2·3版图设计要点 42-8

3集成电路的制造工艺 42-8

3·1前工序 42-9

3·2管芯制造工序 42-9

2·3整流管和特殊用途电子管 41-11

3 离子管 41-14

3·1气体放电的基本特性 41-15

3·3后工序 42-15

3·4技术管理 42-16

3·2稳压管 41-16

第3章双极型数字集成电路17

3·3充气整流管 41-17

1基本逻辑门电路 42-17

2二极管-晶体管逻辑（DTL）电路 42-18

3·4引燃管 41-18

3·5闸流管 41-19

3 晶体管-晶体管逻辑（TTL）电路 42-19

4 高阈值逻辑（HTL）电路 42-19

5 触发器 42-20

5·1单稳态触发器 42-20

5·2双稳态触发器 42-20

3·7十进位计数管 41-21

3·6放电管 41-21

6逻辑电路参数的测试 42-23

6·1直流参数的测试 42-23

3·8计数管 41-23

6·2交流参数的测试 42-24

4·1光电子发射 41-24

4 光电器件 41-24

第4章MOS场效应数字集成电路25

1 P-MOS电路及其应用 42-25

4·2光电管和光电倍增管 41-25

1·1 P-MOS晶体管的工作原理 4225

4·3象变换器 41-26

1·2 P-MOS基本电路 42-26

5 电子束管 41-27

5·1 电子束管的基本结构和工作原理 41-27

1·3 P-MOS电路的应用举例 42-29

5·2摄象管 41-29

2 CMOS电路及其应用 42-31

2·1 CMOS电路的特点 42-31

5·3储存管 41-31

2·2 CMOS基本电路 42-32

6微波电子管 41-32

6·1微波三、四极管 41-32

6·2速调管 41-34

1半导体存贮器 42-35

第5章大规模集成电路（LSI）35

2·3 CMOS电路的应用举例 42-35

6·3行波管 41-36

1·2只读存贮器（ROM） 42-36

1·1随机存取存贮器（RAM） 42-36

2·1双极型LSI逻辑电路 42-37

3微处理器 42-37

4 LSI电路在仪器仪表方面的应用 42-37

2·2 MOS型LSI逻辑电路 42-37

2逻辑电路 42-37

6·4磁控管 41-38

5设计制造LSI电路所需具备的条38

件 42-38

5·1基础材料 42-38

5·4计算机对工艺过程实现自动控制（CAP） 42-39

5·2空气净化 42-39

5·3计算机辅助设计（CAD） 42-39

5·5计算机辅助测试（CAP） 42-39

1·1差分输入电路 42-40

1集成运算放大器的基本单元电路 42-40

第6章线性集成电路40

7 电真空器件型号命名方法 41-41

1·2恒流源及偏置电路 42-41

1·3电平位移电路 42-42

1·4输出级电路 42-43

1·5有源负载 42-44

2集成运算放大器的主要参数 42-44

3各种集成运算放大器 42-45

3·1低增益运算放大器 42-45

3·2中增益运算放大器 42-45

1 概述 41-46

第2章半导体分立器件46

2 PN结基本原理 41-47

3·3高增益运算放大器 42-47

3·4高性能运算放大器 42-47

2·1 PN结的整流特性 41-48

3·5高精度运算放大器 42-48

3·6高输入阻抗运算放大器 42-49

3·7低漂移运算放大器 42-50

3·8低功耗运算放大器 42-51

2·2 PN结的电容 41-51

3·9高速运算放大器 42-51

4集成运算放大器主要参数的测试方53

法 42-53

2·3 PN结的击穿 41-53

5集成运算放大器的应用 42-54

5·1理想放大器 42-54

5·2直流比例放大器 42-54

3半导体二极管 41-54

5·3直流运算器 42-55

3·2检波二极管 41-55

3·1整流二极管 41-55

3·3开关二极管 41-56

3·4稳压二极管 41-57

3·5恒流二极管 41-58

3·6肖特基势垒二极管（SBD） 41-58

5·6线性检波器 42-58

5·5电压？电流变换器 42-58

5·4电桥放大器 42-58

5·8正弦波发生器 42-59

5·7有源滤波器 42-59

1·2电压调整器的基本单元电路 42-60

1·1集成电压调整器的工作原理 42-60

1 电压调整器 42-60

第7章非线性集成电路60

3·3寿命试验及其数据处理 41-61

3·7 PIN二极管 41-61

3·8变容二极管 41-62

1·3电压调整器的主要参数 42-63

3·9阶跃恢复二极管 41-63

1·4典型集成电压调整器电路 42-64

3·10隧道二极管（TD）和反向二极管 41-65

2·1电压比较器 42-67

2 比较器 42-67

3·11雪崩二极管 41-67

3·12体效应二极管 41-68

2·2电平检出器 42-68

4双极型晶体管 41-69

3磁芯读出放大器 42-69

4·1晶体管的基本工作原理 41-71

4模拟乘法器 42-71

3 工艺筛选 42-73

2浴盆曲线 42-73

1失效率 42-73

注意事项73

第8章集成电路的可靠性及使用73

3·1检查筛选 42-74

3·2检漏筛选 42-74

3·3高温直流参数测试和模拟低温参数测试的动态测试 42-74

3·5温度冲击 42-74

3·4高温存贮 42-74

4使用时要注意的事项 42-75

3·6高温功率老化 42-75

4·2低频小功率晶体管 41-76

命名 42-77

附录Ⅰ 集成电路的外形识别和型号77

参数 42-78

附录Ⅱ TTL数字集成电路有关典型78

附录Ⅲ常用的集成运算放大器参数79

表及电路图 42-79

4·3高频晶体管 41-80

4·4低噪声晶体管 41-82

型号对照 42-84

附录Ⅳ部分CMOS集成电路国内外84

照 42-85

附录Ⅴ 部分接口电路国内外型号对85

4·5开关晶体管 41-86

对照 42-86

附录Ⅵ部分运算放大器国内外型号86

参考文献 42-87

4·6功率晶体管 41-88

5·1结型场效应晶体管 41-94

5场效应晶体管 41-94

5·2 MOS场效应晶体管 41-102

6其他晶体管 41-107

6·1单结晶体管 41-107

6·2可编程序单结晶体管 41-110

7半导体器件的型号命名方法 41-112

第3章电阻器113

1 概述 41-113

2 电阻器的一般性能 41-114

3 固定电阻器 41-116

3·1合金型电阻器 41-116

3·2薄膜型电阻器 41-118

3·4固定电阻器的选用 41-119

3·3合成型电阻器 41-119

4 电位器 41-121

4·1电位器的主要技术参数 41-121

4·2合金型电位器 41-122

4·3合成型电位器 41-123

4·4薄膜型电位器 41-124

4·5非接触式电位器 41-124

4·6电位器的选用 41-125

5敏感电阻器 41-126

1·1电容器的分类 41-127

第4章电容器127

1·2电容器的标称容量、额定电压与温度系列 41-127

1 概述 41-127

2 电容器的主要技术参数 41-128

3·1有机介质电容器的一般特性 41-132

3 有机介质固定电容器 41-132

3·2纸介电容器 41-133

3·3金属化纸介电容器 41-133

3·4有机薄膜电容器 41-133

3·5复合介质电容器 41-134

4 无机介质固定电容器 41-135

4·1无机介质电容器的一般性能 41-135

4·2陶瓷电容器 41-135

4·3云母电容器 41-136

4·4玻璃膜和玻璃釉电容器 41-137

5 电解电容器 41-138

5·1电解电容器的一般特性 41-138

5·2铝电解电容器 41-138

5·3钽电解电容器 41-139

6·1充气电容器 41-140

7 可变电容器和微调电容器 41-140

6·2真空电容器 41-140

7·1空气可变电容器 41-140

41-140

6气体介质和液体介质固定电容器140

5·4铌电解电容器及其他电解电容器 41-140

7·2有机薄膜可变电容器 41-141

7·3微调电容器 41-141

8 电容器的应用 41-142

2 电感器的基本参数计算和考虑 41-145

1 概述 41-145

2·1电感量的计算 41-145

第5章电感器145

2·2互感量和耦合系数的计算 41-151

2·3品质因数（Q值）的计算 41-154

2·4固有电容的计算 41-154

2·5电感线圈稳定性的计算 41-155

3 电感器主要材料的选择 41-155

3·1导线的选择 41-155

3·2骨架材料和形状的选择 41-156

3·3磁心及其材料的选择和应用 41-159

4提高电感器稳定性的措施 41-161

4·1减少温度影响的措施 41-161

4·2减少潮湿影响的措施 41-161

4·3提高抗电强度的措施 41-161

4·4电感线圈的防振措施 41-161

5 电感线圈的屏蔽 41-162

5·3屏蔽罩的设计 41-163

6·1用Q表测量L,Q, C0和M（k）等163

6 电感器参数的测量 41-163

参数 41-163

5·2屏蔽材料的选择 41-163

5·1屏蔽的作用 41-163

6·2用电感测量仪和电桥测L,Q,M164

（k） 41-164

7·2平面电感器 41-165

7·1小型固定电感器 41-165

7·3中周线圈 41-165

7 几种电感线圈的介绍 41-165

6·3电感温度系数αL的测量 41-165

7·4罐形磁心线圈 41-180

7·5变感器（可变电感器） 41-180

8偏转线圈和聚焦线圈 41-182

8·1摄象管的偏转聚焦线圈 41-182

8·2显象管的偏转线圈 41-184

8·3制造偏转线圈的材料和工艺 41-186

1概述 41-189

1·1接插元件的功能、特点和发展趋势 41-189

1·2接插元件的使用环境 41-189

2基本参数及其原理 41-189

2·1接触电阻 41-189

第6章接插元件189

2·2接触对的电流容量 41-191

2·3绝缘电阻 41-192

2·4击穿电压 41-193

2·5串音衰耗 41-194

2·6特性阻抗与驻波比 41-196

2·8镀层磨损寿命 41-197

2·7接触压力、插拔力、换向力 41-197

3·1接触对结构 41-198

3接触对 41-198

3·2镀层材料 41-199

3·3接触面润滑剂的应用 41-199

3·4接触对所用弹性材料 41-199

4绝缘基座 41-202

4·1基座结构 41-202

4·2材料 41-202

5接触对与外接导线的连接 41-202

5·1锡钎焊 41-202

5·2绕线连接 41-203

5·3压接 41-204

6连接器 41-204

6·1连接器的分类 41-204

6·2圆形连接器 41-205

6·3矩形连接器 41-207

6·4印制板连接器 41-208

6·5同轴连接器 41-209

6·6带状电缆连接器 41-217

6·7光纤（缆）连接器 41-217

7开关及其他接插件 41-217

8提高接插件的可靠性 41-217

第7章记忆元器件219

1概述 41-219

2磁性存储元器件 41-220

2·1环形记忆磁心 41-220

2·2其他铁氧体存储元件 41-224

2·3磁膜存储器件 41-227

3半导体随机存取存储器件 41-229

3·1概述 41-229

3·2双极型随机存取存储器 41-231

3·3 MOS随机存取存储器件 41-232

3·4半导体存储器的测试方法 41-236

4只读存储器 41-238

4·1半导体只读存储器 41-238

4·2其他类型的只读存储元器件 41-240

5新型存储元器件 41-241

5·1电荷耦合器件 41-241

5·2磁泡存储器 41-243

5·3电子束存储器 41-245

5·4非晶态半导体存储器 41-247

5·5光存储介质 41-248

第8章压电器件251

1压电效应和压电材料 41-251

1·1压电效应 41-251

1·2压电方程 41-251

1·3压电体的各种参数 41-252

1·4压电材料 41-259

41-260

2·1压电振子的等效电路 41-260

2 压电振子的等效电路与测量方法260

2·2主要参数的测量方法 41-261

3压电陶瓷器件 41-262

3·1 压电陶瓷滤波器 41262

3·2压电陶瓷变压器 41-264

3·3压电陶瓷电声器件 41-266

3·4压电陶瓷的其他应用 41-267

4 压电晶体器件 41-270

4·1石英晶体谐振器 41-270

4·2晶体振荡器 41-272

4·3晶体滤波器 41-275

5压电声表面波器件 41-276

5·1概述 41-276

5·2声表面波滤波器 41-277

5·3声表面波延迟线 41-278

5·4声表面波放大器及其他非线性器278

件 41-278

第9章显示器件279

1概述 41-279

1·1显示器件的分类 41-279

1·2显示器件发展概况 41-280

1·3各类显示器件性能比较 41-282

2 电子束显示器件 41-282

2·1示波管 41-282

2·2定位管 41-284

2·3显象管 41-285

2·4彩色显象管 41-287

2·5投影管 41-288

2·6显示储存管 41-289

2·7字符管和字标管 41-289

2·8记录管 41-290

2·9其它电子束管 41-290

3·1荧光数码管的结构和工作原理 41-291

3·2荧光数码管的特性 41-291

3 荧光数码管 41-291

3·3荧光数码管的特点及典型产品参数 41-293

3·4荧光数码管的驱动方法 41-293

4半导体发光二极管 41-294

4·1发光二极管的结构与发光机理 41-294

4·2发光二极管用的材料 41-295

4·3发光二极管的特性 41-295

4·4发光二极管显示器的特点与应用 41-296

4·5发光二极管显示器的使用方法 41-296

5·2辉光数码管的特性参数及其驱动297

5·1辉光数码管的结构和工作原理 41-297

方法 41-297

5辉光数码管 41-297

6等离子体显示器件 41-298

6·1交流等离子体显示器件 41-298

6·2直流等离子体显示器件 41-299

6·3片段式数字显示器件 41-300

6·4超大型交流等离子体显示器件 41-301

7 电致发光显示器件 41-301

7·1交流粉末电致发光器件 41-302

7·2直流粉末电致发光器件 41-303

7·3薄膜电致发光器件 41-303

8液晶显示器 41-304

8·1液晶显示器的结构与工作原理 41-304

8·2液晶显示器的工作特性 41-306

8·3彩色液晶显示器件 41-307

8·4液晶显示器的特点 41-307

8·5液晶显示器的驱动方法 41-307

9激光显示 41-308

9·1激光显示器的特点 41-308

9·2激光显示器的工作原理和结构 41-308

9·3彩色激光显示 41-310

10 光阀显示 41-310

10·1电子束光阀显示 41-311

10·2激光扫描的液晶光阀显示 41-312

11立体显示 41-313

11·1视差立体显示 41-313

10·3光电导液晶光阀显示 41-313

11·2立体X射线电视 41-314

11·3合成全息照相投影式立体彩色显示 41-314

11·4振动平镜式三维显示 41-315

2红外探测器 41-316

1 概述 41-316

2·1红外探测器的特性参数 41-316

第10章红外器件316

2·2光子探测器 41-318

2·3热探测器 41-320

2·4红外探测器的应用 41-322

3红外摄象器件 41-324

3·1红外摄象管 41-324

3·2电荷耦合摄象器件（CCI） 41-325

2光敏元件 41-327

1概述 41-327

2·1光敏电阻 41-327

第11章半导体传感元件327

2·2光电二极管 41-331

2·3光电晶体管 41-333

2·4光电耦合器件 41-334

3压敏元件 41-337

3·1半导体应变片 41-338

3·2扩散型半导体应变片及固体压力传感器 41-341

3·3蒸镀薄膜型应变片 41-341

3·4 PN结压敏元件 41-342

3·5声电传感元件 41-344

4磁敏元件 41-346

4·1霍尔元件 41-346

4·2磁敏电阻器 41-351

4·3磁敏二极管（SMD） 41-353

5湿敏元件 41-354

5·1湿敏电阻 41-355

5·3湿敏阻容元件 41-359

6气敏元件 41-359

5·2湿敏电容 41-359

6·1常用的气敏半导体材料和气敏元件 41-360

6·2气敏元件的结构和工作原理 41-360

6·3气敏元件的特性和参数 41-362

6·4气敏元件的应用 41-363

7热敏元件 41-363

第12章继电器365

1 概述 41-365

1·1继电器的定义、特性与参数 41-365

1·2继电器的分类 41-365

1·3对继电器的一般要求 41-368

2 电磁式继电器 41-368

2·1电磁式继电器的结构与特性 41-369

2·2电磁式继电器的触点 41-381

2·3电磁式继电器的线圈 41-393

2·4电磁式继电器的典型结构 41-396

3舌簧继电器 41-398

3·1舌簧继电器的结构、工作原理与特点 41-398

3·2各类舌簧触点与继电器简介 41-401

4极化继电器 41-402

5磁保持继电器 41-405

6 密封继电器 41-406

7高频继电器 41-407

8高压继电器 41-408

9 双金属温度继电器 41-408

10 晶体继电器 41-409

11 时间继电器 41-411

11·1机械延时式时间继电器 41-411

11·2电磁式时间继电器 41-411

11·3电热式时间继电器 41-412

11·4阻尼式时间继电器 41-412

11·5电子式时间继电器 41-412

11·6阻容式晶体管时间继电器 41-412

11·7计数式晶体管时间继电器 41-415

12典型继电器单元线路 41-416

1变压器 41-420

1·1变压器的原理和结构 41-420

第13章变压器与滤波扼流圈420

1·2电源变压器 41-424

1·3音频变压器 41-432

1·4脉冲变压器 41-434

2滤波扼流圈 41-437

2·1用途和特点 41-437

2·2计算滤波扼流圈的几个基本概438

念 41-438

2·3设计方法 41-439

1·1静电测量管应用线路 41-441

1·2真空计管的实用线路 41-441

1 电真空器件的应用举例 41-441

第14章 电子元器件应用线路举例441

1·3光电倍增管 41-443

2特殊半导体二极管的应用 41-443

2·1肖特基二极管的应用 41-443

2·2变容二极管的应用 41-445

2·3 PIN二极管的应用 41-445

2·4光敏二极管的应用 41-446

2·5磁敏二极管的应用——无触点开关 41-447

2·6雪崩二极管的应用——雪崩二极管振荡器 41-448

3磁记录读出放大器 41-450

2·1磁鼓、磁带读写放大器例 41-450

2·2磁盘读放大器例 41-450

4压电器件的应用电路 41-452

5·1红外元件的耦合线路——热源探454

测仪前置放大级例 41-454

5红外元件的应用 41-454

第15章 电子元器件的可靠性455

1概述 41-455

5·2红外元件的耦合线路——热源探455

测仪前置放大级例二 41-455

2可靠性的基本概念 41-456

2·1可靠性的数量特征 41-456

2·2常见的寿命分布 41-460

2·3电子元器件的典型失效率曲线 41-460

3 电子元器件的可靠性试验 41-460

3·1可靠性试验的目的与分类 41-460

3·2环境试验 41-461

3·4加速寿命试验及其数据处理 41-465

3·5可靠性筛选试验 41-468

3·6失效率鉴定试验 41-470

3·7抽样简介 41-473

4·2研制阶段的可靠性控制 41-478

4提高电子元器件的可靠性 41-478

4·1一般程序 41-478

4·3生产阶段的可靠性控制 41-478

4·4使用阶段的可靠性控制 41-479

4·5失效分析 41-480

5 电子元器件与系统的可靠性预480

计 41-480

5·1元器件使用失效率预计 41-480

5·2系统可靠性预计 41-481

6可靠性数据的收集与利用 41-484

6·1元器件可靠性数据的收集 41-486

6·2元器件可靠性数据的利用 41-486

参考文献 41-486