《大规模集成电路的未来技术》

目录1

第一章 微细器件存在的问题1

1.1前言1

1.2微细器件2

1.3微小化器件25

1.4微小化器件的方向28

参考文献29

第二章 多晶硅和半绝缘多晶硅31

2.1前言31

2.2膜的生长与加工32

2.3膜的性质36

2.4钝化44

2.5异质结晶体管52

2.6结束语59

参考文献59

3.1前言62

第三章 金属硅化物的生成与存在的问题62

3.2金属硅化物的（固相反应）生成65

3.3硅化物的生成机理79

3.4硅化物和肖特基势垒92

3.5结束语97

参考文献98

第四章 利用光致发光法评价硅晶体的性能100

4.1前言100

4.2硅晶体的光致发光102

4.3利用光致发光评价晶体110

4.4高纯度晶体中残留杂质的评价121

4.5热处理硅晶体的评价127

4.6中子掺杂晶体的评价138

4.7后记145

附录 新的杂质量检定线及其应用146

参考文献151

第五章 干法工艺156

5.1前言156

5.2不包括腐蚀的干法工艺157

5.3干法腐蚀166

5.4结束语186

参考文献187

第六章 等离子化学汽相淀积技术189

6.1前言190

6.2等离子CVD技术190

6.3等离子氮化硅膜的基本特性201

6.4最近的等离子CVD技术231

6.5其他的等离子CVD技术238

6.6等离子CVD技术的课题239

参考文献239

第七章 低能量化的系统大规模集成电路242

7.1前言242

7.2数字电路的设计243

7.3系统的性能245

7.4集成化结构和大规模集成电路技术的特点247

7.5系统大规模集成电路249

7.6计算机－通信系统257

7.7低能量化的方向258

参考文献260

第八章 今后的抗蚀剂材料261

8.1前言261

8.2抗蚀剂材料的物理化学性质261

8.3抗蚀剂材料的现状272

8.4未来的抗蚀剂材料286

补遗292

参考文献293

第九章 今后的曝光技术299

9.1前言299

9.2曝光技术概述300

9.3电子束曝光装置302

9.4复制装置326

9.5后记340

参考文献341