《表1 MoS2-Ti/Cu-Ni-In多层膜具体参数》

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《调制比对MoS_2-Ti/Cu-Ni-In多层膜微动磨损性能影响》

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本文采用的镀膜系统称为科研型多功能真空镀膜系统，所用钛靶材为99.99%纯度的纯钛靶材，薄膜生长材料为Ti-6Al-4V（TC4）与单晶硅（100）薄片，其中TC4基材为采用线切割切割而成的圆块，切割后样品依次采用320号、800号、1200号、1500号、2000号砂纸打磨，基底材料在装炉前均采用丙酮、无水乙醇超声波清洗20min后烘干备用。在多层膜的制备前期，先用Ar离子高速轰击基体材料20min，然后再沉积20min的Ti过渡层，以提高膜基结合强度，在Ti过渡层的基础上，交替沉积Cu-Ni-In膜层与MoS2-Ti膜层，多层膜的制备参数如表1所示。本试验真空度为（3.5～6.1）×10-3 Pa。