《表1 倒装焊高压芯片与共晶焊高压芯片参数对比》

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《共晶焊倒装高压LED的制备及性能分析》

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1) 芯片外观。两种LED芯片的示意图如图3所示，其具体参数可参照表1。共晶焊HV LED的有效出光面积为1.09 mm2，是倒装焊高压LED的110%。倒装焊LED的金球凸点在压焊后直径扩展为100μm左右，所以微晶粒N电极的尺寸只有超过100μm，才能避免漏电的产生，这导致了过多有源区的损失。并且由于电极设计不合理，倒装焊LED电流分布非常不均匀。此外，由于倒装微晶粒的大小限制，每颗微晶粒仅有一个N pad与倒装基板通过金球连接，连接可靠性会影响整个倒装高压芯片。共晶焊高压LED的面面连接很好地解决了相关问题，因此它的有效出光面积得到了提升。此外，共晶焊高压LED相比倒装焊高压LED，侧壁长度更短，其侧壁出光面积是倒装焊高压LED的87.8%。