《表1 双层膜溅射参数及不同温度退火参数》
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《退火温度和溅射时间对磁控溅射法制备Mg_2Si薄膜的影响》
本次实验设置了退火温度和溅射Si、Mg薄膜厚度两组梯度,研究了退火温度和薄膜厚度对溅射两层Si、Mg薄膜的影响,具体工艺参数如表1和表2所示,为了便于精确控制,薄膜厚度采用溅射时间来表述,其中Si膜的溅射速率为10nm/min,Mg膜的溅射速率为80nm/min.
图表编号 | XD0056791900 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.04.01 |
作者 | 陈茜、马新宇、廖杨芳、肖清泉、谢泉 |
绘制单位 | 贵州大学大数据与信息工程学院新型光电子材料与技术研究所、贵州大学大数据与信息工程学院新型光电子材料与技术研究所、贵州大学大数据与信息工程学院新型光电子材料与技术研究所、贵州大学大数据与信息工程学院新型光电子材料与技术研究所、贵州大学大数据与信息工程学院新型光电子材料与技术研究所 |
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