《表3 不同退火温度下制备的TiO2光阳极的DSSC性能参数》

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《TiO_2/PEN表面改性对柔性DSSC性能的影响》

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由于PEN基底本身的限制，在制备光阳极时，退火温度不宜过高，所以本文将最高退火温度设置为140℃，略低于PEN的耐受温度。试验在保证添加量为15%、退火时间相同的条件下，设置不同薄膜的退火温度制备DSSC。图5为不同退火温度下制备TiO2光阳极的DSSC的J-V曲线，具体性能参数如表3所示。对于未进行退火的DSSC，其短路电流密度仅为3.94mA/cm2，填充因子为57.8%，光电转化效率为1.75%。然而，由图5可知，随着退火温度的升高，其短路电流密度逐渐增加，在140℃时达到了最大值，填充因子和光电转化效率同样随着退火温度的升高而逐渐上升。通过表3可以得出，退火温度对薄膜质量、颗粒之间的连接性有着重要的影响。退火温度越高，越多的羟基发生脱水，P25颗粒之间的连接就越紧密。